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西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：2.0*6.0mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點擊下載

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西鐵城晶振公司為工業(yè)市場提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.西鐵城精密裝置發(fā)揮能力的領(lǐng)域是，小型精密高精度，高精度被要求的功能零部件領(lǐng)域。并且，通過多年建立的獨自的技術(shù)，不斷地提供高附加價值的微設(shè)備產(chǎn)品。西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
西鐵城在音叉水晶表晶振動子（石英晶振）這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的，與日本元器件品牌愛普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西鐵城石英晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。截止2010年底，已發(fā)展為以鐘表為主業(yè)，多種經(jīng)營的集團(tuán)性跨國大公司，年銷售額約三十八億美元。西鐵城自成立以來，一直在鐘表行業(yè)處于領(lǐng)先地位，創(chuàng)造了諸多世界第一。

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西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的插件型晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
西鐵城石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。CMR200T32768DZFT晶振,32.768K彎角插件晶振,CMR200T晶振

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RB-1

西鐵城晶振	單位	CMR200T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1.0μW
頻率公差	f_— l	±20× 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10^-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
頻率老化	f_age	±3× 10^-6 /year Max.	+25°C,第一年

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CMR200T

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸32.768K彎角晶振的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用高精度晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致進(jìn)口音叉晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致音叉水晶振子振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。CMR200T32768DZFT晶振,32.768K彎角插件晶振,CMR200T晶振