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微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：1.6*1.0*0.5mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.

訂購熱線：0755-27837162

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微晶的管理團(tuán)隊以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個積極的例子，在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。石英晶振質(zhì)量與成本。微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會責(zé)任原則執(zhí)行（MES）大綱標(biāo)準(zhǔn)，以確保MC設(shè)備的工作條件，以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴(yán)對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環(huán)境負(fù)責(zé)。微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振
過去微晶晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn)。微晶晶振集團(tuán)將：不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防。為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架。通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持。1610千赫茲晶體,微晶晶振,CM9V-T1A晶振

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微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
微晶石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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微晶晶振	單位	CM9V-T1A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20、±100× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	4.0PF~12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CM9V-T1A 1610

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超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。1610千赫茲晶體,微晶晶振,CM9V-T1A晶振
（2）使用32.768K和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產(chǎn)品
（4）對于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對高精度晶振產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負(fù)面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用音叉晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振

RB-5 設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明微晶1610mm晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在1610晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。微晶晶振,貼片晶振,CM9V-T1A晶振

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致1610無源SMD晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。1610千赫茲晶體,微晶晶振,CM9V-T1A晶振

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