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微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2*0.35mm

體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合無鉛標(biāo)準(zhǔn)。

訂購熱線：0755-27837162

微晶2012晶振在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持，服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品。就原則而言，以下內(nèi)容被認(rèn)為是MC供應(yīng)的一部分鏈，即電子制造服務(wù)（EMS）公司和原始設(shè)計(jì)制造商（ODM）包括承包勞動(dòng)，設(shè)計(jì)，市場，生產(chǎn)和/或提供用于生產(chǎn)MC電子產(chǎn)品的貨物和服務(wù)。
瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求，從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā)。環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng)。微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。過去微晶晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn)。

微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振,貼片石英晶體諧振器，又簡稱為排帶包裝，這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝，使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接，大大節(jié)約人工，提高工作效率。32.768KHZ目前SMD品種有幾款產(chǎn)品在智能手環(huán)中發(fā)揮最大的作用呢？以下幾款對(duì)比產(chǎn)品：愛普生晶振品牌FC-12M，精工晶體的品牌SC-20S，西鐵城晶振的CM-212H，日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場上最為常用的小尺寸貼片晶振，外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一立米大小。
注意：在石英晶體諧振器晶體測量中各個(gè)廠家的儀器會(huì)存在一定的差距（誤差），所以應(yīng)對(duì)晶振晶體測試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A，SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對(duì)公司內(nèi)每臺(tái)單機(jī)每個(gè)月進(jìn)行一次校對(duì)。自動(dòng)測試機(jī)用平移法進(jìn)行測試。同時(shí)保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測儀器，準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm（國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)）。在測量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測量方法保證測量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測試的一致性。

微晶晶振	單位	CM8V-T1A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20、±100× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	4,6,7,9,12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

CM8V-T1A 0.3 2012

請(qǐng)測量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶振的兩個(gè)端子的信號(hào)，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下：微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

20180526161603

該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

201805261616171

如果由頻率計(jì)數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，石英諧振器點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

1. 驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶體振蕩器晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re,其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

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2.測試條件:電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。其他：輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過2012mm晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）

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3.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，無源石英晶體諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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