CITIZEN晶振,無源晶振,CM309E晶振
頻率:4M~64MHZ
尺寸:9.4x5.0mm
貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,這是這產品采用排帶盤式包裝,使產品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率.此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等。
CITIZEN晶振,32.768K貼片晶振,CM309E晶振,西鐵城在音叉水晶表晶振動子(石英晶振)這一領域也是遙遙領先的,與日本元器件品牌愛普生晶振,日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱世界日產五大品牌。對于西鐵城晶振動子,其要求相比其他各大品牌,工藝也是非常之嚴格,工藝上除清洗、被銀、點膠、微調、中測、封焊、檢漏、老化、測試、打標、編帶、包裝等步驟外,選用的設備儀器其優(yōu)點有先進性、功能性、適應性和經濟性,西鐵城推出3款適合時鐘上用的音叉表晶,CFS-308晶振,CFS-206晶振,CFS-145晶振。
西鐵城晶振創(chuàng)立于1959年7月28日,當時注冊資金高達17億多,所做產品涉及領域較廣,自動車部品,石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器及水晶片,映像用電子機器,液晶顯示器,光通信用部品,工業(yè)機械裝置,精密計測機械,小型精密金屬加工部件等。
貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,這是這產品采用排帶盤式包裝,使產品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率.32.768KHz千赫子時鐘晶體,其本身主要應用在時鐘控制產品,或者是控制模塊,主要給時鐘芯片提供一個基準信號,其主要各項功能還得看應用何種產品.本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
西鐵城晶振 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
4M~64MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
1.機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
2.PCB設計指導
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內部板體特性.
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝.
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用.
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料.
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏. CITIZEN晶振,32.768K貼片晶振,CM309E晶振
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容).
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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