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西鐵城晶振,貼片晶振,CM2012H晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:2.0*1.2*0.6mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
訂購(gòu)熱線:0755-27837162

CITIZEN-1

        大多數(shù)人只知道日本西鐵城公司是做手表,時(shí)鐘產(chǎn)品類(lèi)的,其實(shí)西鐵城公司是一個(gè)集團(tuán)公司,公司有很多個(gè)分公司,也生產(chǎn)很多種產(chǎn)品,比如石英晶振系列也是西鐵城的主打產(chǎn)品之一,而且早在2001年就在中國(guó)建廠以生產(chǎn)石英晶體表晶32.768K系列為主,當(dāng)然最出名的,深入中國(guó)人腦海里的還是西鐵城的鐘表了。日本株式會(huì)社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】,該品牌創(chuàng)立時(shí)間在1918年,早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時(shí)計(jì)產(chǎn)品,在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水,防振的手表,從此轟動(dòng)世界成為了個(gè)性時(shí)尚品牌.西鐵城晶振,貼片晶振,CM2012H晶振
        同時(shí),在使用高精度材料的高精度中,效率很好地量產(chǎn)石英晶振的事也是本公司獨(dú)自的核心技術(shù)。在材料技術(shù)和超精密加工技術(shù),薄膜技術(shù),連接技術(shù),組裝技術(shù)等,使石英和水晶等高精度零部件,產(chǎn)生了液晶裝置,傳感裝置等高質(zhì)量的功能器件產(chǎn)品。利用鐘表的制作的小型精密零部件的金屬加工技術(shù),從工程設(shè)計(jì)到加工、組裝、功能測(cè)試過(guò)程中的生產(chǎn)線和本公司制造加工機(jī)的獨(dú)自開(kāi)發(fā),長(zhǎng)期供給著小型、高精度的零部件。

JLX-1

CITIZEN-2

        西鐵城晶振,貼片晶振,CM2012H晶振.產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
        西鐵城石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。CM2012H32768DZFT晶振,2012貼片音叉晶振,CM2012H晶振

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RB-1

西鐵城晶振

單位

CM2012H晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:1.0μW

頻率公差

f_— l

±20×10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±20×10-6/-40°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~ +85°C, DL=1.0μW

頻率老化

f_age

±3×10-6 /year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CM2012H

JLX-4

RB-4

機(jī)械振動(dòng)的影響
          當(dāng)32.768K晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。CM2012H32768DZFT晶振,2012貼片音叉晶振,CM2012H晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
         (1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于貼片石英晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
         (2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
         (3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
         (4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
         (1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 
正常溫度和濕度: 
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
         (2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。西鐵城晶振,貼片晶振,CM2012H晶振

JLX-5

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1、振蕩電路

世界級(jí)小型2012晶振是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。

配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和

異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。

晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如

討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。西鐵城晶振,貼片晶振,CM2012H晶振

2。角色的分量與參考值

在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。

組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。

(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC74hcuo4ap東芝)。

當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示

1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。

電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。

振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1?。在

泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。

2012進(jìn)口諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更。CM2012H32768DZFT晶振,2012貼片音叉晶振,CM2012H晶振

cptj11

限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。

電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。

C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有

給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担?/span>RD)取決于耐高溫32.768K晶振的類(lèi)型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。

電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括

負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。

?K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?K?范圍。

安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和

振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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wxewm

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聯(lián)系人:茹紅青

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