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西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體

頻率：32.768KHz

尺寸：8.0*3.8mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點擊下載

大多數(shù)人只知道日本西鐵城公司是做手表，時鐘產(chǎn)品類的，其實西鐵城公司是一個集團公司，公司有很多個分公司，也生產(chǎn)很多種產(chǎn)品,比如石英晶振系列也是西鐵城的主打產(chǎn)品之一，而且早在2001年就在中國建廠以生產(chǎn)石英晶體表晶32.768KHZ系列為主，當然最出名的，深入中國人腦海里的還是西鐵城的鐘表了。CM200C晶振,陶瓷面進口石英晶體諧振器,32.768K無源貼片晶振

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西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體,該款晶振產(chǎn)品的體積是8.0*3.8mm,屬于大尺寸的石英晶體諧振器,是32.768K晶振中體積較大的一款,但卻沒有因此影響使用效果,通過了德國晶振協(xié)會的ROHS認證,是值得信賴的環(huán)保型晶振.

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西鐵城晶振	符號	CM200C晶振	西鐵城晶振基本信息對照表
Crystal標準頻率	f_nom	32.768kHz
儲存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	西鐵城晶振特定的溫度
激勵功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20 ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

CM200S-CM250Scct

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超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產(chǎn)品
（4）對于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進口晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。CM200C晶振,陶瓷面進口石英晶體諧振器,32.768K無源貼片晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
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1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明無源晶振CM200C所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加CM200C貼片晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。CM200C晶振,陶瓷面進口石英晶體諧振器,32.768K無源貼片晶振
其中CS表示電路的雜散電容。