西鐵城晶振,石英晶體,CFV-206晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0x6.0mm
西鐵城晶振,石英晶體,CFV-206晶振,西鐵城在音叉水晶表晶振動(dòng)子(石英晶振)這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的,與日本元器件品牌愛(ài)普生晶振,日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱(chēng)世界日產(chǎn)五大品牌。對(duì)于西鐵城晶振動(dòng)子,其要求相比其他各大品牌,工藝也是非常之嚴(yán)格,工藝上除清洗、被銀、點(diǎn)膠、微調(diào)、中測(cè)、封焊、檢漏、老化、測(cè)試、打標(biāo)、編帶、包裝等步驟外,選用的設(shè)備儀器其優(yōu)點(diǎn)有先進(jìn)性、功能性、適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)性,西鐵城推出3款適合時(shí)鐘上用的音叉表晶,CFS-308晶振,CFS-206晶振,CFS-145晶振。
插件32.768K系列為滿足市場(chǎng)不同產(chǎn)品對(duì)精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶也可以分為在精度上分為正偏差以及負(fù)偏差。音叉型表晶32.768K晶振在產(chǎn)品中使用溫度范圍可以達(dá)到—40°到+70°的寬溫要求。西鐵城插件32.768K系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車(chē)電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品中。
單位 |
CFV-206晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。西鐵城晶振,石英晶體,CFV-206晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 石英晶振負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
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QQ號(hào):657116624
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
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石英晶振
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- KDS晶振
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