微晶晶振,貼片晶振,CC5V-T1A晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:4.1*1.5*0.9mm
微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品。微晶在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品。
微晶的管理團(tuán)隊(duì)以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個(gè)積極的例子,在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵(lì)員工始終如一地思考問(wèn)題。石英晶振質(zhì)量與成本。通過(guò)不斷改進(jìn)技術(shù),過(guò)程、產(chǎn)品、服務(wù)、質(zhì)量、環(huán)境保護(hù)、安全和安全方面,微晶也將保持其在未來(lái)的市場(chǎng)地位。進(jìn)口壓電石英晶體,無(wú)源石英貼片晶振,CC5V-T1A晶振
微晶晶振,貼片晶振,CC5V-T1A晶振.二腳貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用.
石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù):比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在石英晶體諧振器產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)。
微晶晶振 |
單位 |
CC5V-T1A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
20PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
進(jìn)口貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。微晶晶振,貼片晶振,CC5V-T1A晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致無(wú)源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。進(jìn)口壓電石英晶體,無(wú)源石英貼片晶振,CC5V-T1A晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞壓電石英晶體,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的32.768K無(wú)源晶振的振蕩頻率的真實(shí)值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。進(jìn)口壓電石英晶體,無(wú)源石英貼片晶振,CC5V-T1A晶振
有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴(lài)于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。微晶晶振,貼片晶振,CC5V-T1A晶振
此外,4.1*1.5貼片晶振振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1。測(cè)量緩沖輸出
2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出
圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
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