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微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振

頻率：30.000KHz~1000.000KHz

尺寸：5.0*1.9*0.9mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會責(zé)任原則執(zhí)行（MES）大綱標(biāo)準(zhǔn)，以確保MC設(shè)備的工作條件，以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴(yán)對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環(huán)境負(fù)責(zé)。5.0*1.9千赫茲石英晶體,32.768K無源諧振器,CC4V-T1A晶振
而今，微晶晶振已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時時鐘模塊、晶振和OCXO等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商，通過不斷改進(jìn)技術(shù)，過程、產(chǎn)品、服務(wù)、質(zhì)量、環(huán)境保護(hù)、安全和安全方面，微晶也將保持其在未來的市場地位。
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微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振.5.0*1.9mm超小型表面貼片型SMD晶振，最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品，滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),焊接方面支持表面貼裝.
微晶石英晶振的切割設(shè)計：用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。

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微晶晶振	單位	CC4V-T1A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	30.000KHZ~1000.000KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6.0PF~12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體諧振器產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。5.0*1.9千赫茲石英晶體,32.768K無源諧振器,CC4V-T1A晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。

RB-5 設(shè)計振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明微晶貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加陶瓷面兩腳晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致5019mm壓電石英晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。5.0*1.9千赫茲石英晶體,32.768K無源諧振器,CC4V-T1A晶振

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