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微晶晶振,貼片晶振,CC1F-T1A晶振,石英晶體諧振器

頻率：30~250MHZ

尺寸：9.0*3.7*175mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

微晶集團將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故，保護公眾健康的同時，努力改進我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動，提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。 微晶晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件，減少廢物的產(chǎn)生和排放，有效的使用能源和各種自然資源，對緊急事件做好充分準備，以便及時做出反應。耐高溫8037mm陶瓷面晶振,無源SMD晶體諧振器,CC1F-T1A晶振
微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認證，并達到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上），這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。就晶振原則而言，以下內(nèi)容被認為是MC供應的一部分鏈，即電子制造服務（EMS）公司和原始設計制造商（ODM）包括承包勞動，設計，市場，生產(chǎn)和/或提供用于生產(chǎn)MC電子產(chǎn)品的貨物和服務

微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1A晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。耐高溫8037mm陶瓷面晶振,無源SMD晶體諧振器,CC1F-T1A晶振

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微晶晶振	單位	CC1F-T1A晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	30~250MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-55°C~+125°C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1~100μW
頻率公差	f_— l	±50× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	10PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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粘合劑:請勿使用可能導致無源石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1A晶振,石英晶體諧振器
7-2:PCB設計指導:(1) 在進口晶振理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存SMD晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容）。 (2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。耐高溫8037mm陶瓷面晶振,無源SMD晶體諧振器,CC1F-T1A晶振

驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明兩腳貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1A晶振,石英晶體諧振器

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過陶瓷殼封裝晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在8.0x3.7mm貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過陶瓷面石英晶體輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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