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Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振

頻率：12.000MHz~50.000MHz

尺寸：3.2*2.5*1.0mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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我們力求為客戶提供盡可能多的工具和服務(wù)，將其設(shè)計(jì)帶入下一個(gè)低功率平臺(tái)。Abras的營銷總監(jiān)Juan Conchas評(píng)論說，PAS測(cè)試服務(wù)可以在設(shè)計(jì)中對(duì)關(guān)鍵子系統(tǒng)進(jìn)行驗(yàn)證，因?yàn)槿绻袷幤鳠o法運(yùn)行，沒有任何操作。Abracon的低等效串聯(lián)電阻（ESR）和低負(fù)載電鍍電容（CL）晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。在降低功耗的競爭中，許多片上石英晶體振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動(dòng)，通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩。
電子行業(yè)有一個(gè)非常一致的趨勢(shì)，直接取決于時(shí)間 - 隨著技術(shù)越來越小，功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設(shè)計(jì)要求，取決于行業(yè)需求，已經(jīng)成為至關(guān)重要的。Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設(shè)計(jì)用于解決越來越多的低功耗趨勢(shì)，從而導(dǎo)致設(shè)計(jì)人員在整個(gè)行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。

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Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外殼封裝的四腳3225mm壓電石英晶體產(chǎn)品經(jīng)歷過一段時(shí)間的低潮之后,近年來使用的用戶漸漸增加,美國進(jìn)口的這款ABM8G晶振擁有全球六十多個(gè)國家和地區(qū)的生產(chǎn)企業(yè)在使用,采用先進(jìn)的玻璃密封技術(shù)打造,為高可靠性和耐高溫特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測(cè)試。石英晶振晶片清洗：清除石英晶振晶片表面的污物、油物，以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時(shí)還有電爐烤箱，在晶振生產(chǎn)過程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。陶瓷殼封裝石英晶體,3225mm壓電石英晶體諧振器,ABM8G晶振

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Abracon晶振	單位	ABM8G晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHZ~50.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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其他
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)耐高溫晶振外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些3225mm貼片晶振沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。陶瓷殼封裝石英晶體,3225mm壓電石英晶體諧振器,ABM8G晶振
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

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輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。Abracon晶振,進(jìn)口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）陶瓷殼封裝石英晶體,3225mm壓電石英晶體諧振器,ABM8G晶振