Abracon晶振,貼片晶振,ABLS晶振,無源諧振器
頻率:3.579545~75MHZ
尺寸:11.5*4.7*4.2mm
奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領(lǐng)先的晶振制造商被動(dòng)&機(jī)電時(shí)間同步,權(quán)力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品適合使用者應(yīng)用程序如機(jī)頂盒,虛擬現(xiàn)實(shí),便攜式音頻、視頻/電話會(huì)議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無人機(jī),相機(jī)/攝像機(jī)、顯示器和高保真音頻以及專業(yè)應(yīng)用,如音頻混合器,唱片的質(zhì)量接收器,廣播工作室相機(jī)等設(shè)備,路由器和轉(zhuǎn)換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振
Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)(PAS)由我們的工程師設(shè)計(jì),可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)做出正確的選擇。 PAS測(cè)試驗(yàn)證了電路中的石英晶體諧振器性能,同時(shí)測(cè)量晶體,晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應(yīng)。測(cè)試系統(tǒng)中所有變量的帳戶,并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實(shí)現(xiàn)理想的匹配。這對(duì)于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術(shù)尤其重要。Abracon工程副總裁Syed Raza評(píng)論說:“半導(dǎo)體技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來,芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益,對(duì)gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響。 PAS測(cè)試是診斷可預(yù)防問題的最可靠的方法。
Abracon晶振,貼片晶振,ABLS晶振,無源諧振器,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
SMD晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào)。石英晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時(shí)還有電爐烤箱,在晶振生產(chǎn)過程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振
Abracon晶振 |
單位 |
ABLS晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.579545~75MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-0°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1~100μW Max. |
推薦:1~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然??梢圆捎貌煌?fù)載電容(CL)的晶振試用。 試用進(jìn)口SMD晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征:Abracon晶振,貼片晶振,ABLS晶振,無源諧振器
晶振具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),金屬晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3。基頻模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下: 高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值使用正確的方法。在49S假貼片晶振振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。Abracon晶振,貼片晶振,ABLS晶振,無源諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過49SMD晶振輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測(cè)量。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致49S型貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過49SMD石英晶體振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).
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