Abracon晶振,49S插件晶振,ABL3晶振
頻率:3.579545MHz~70.000MHz
尺寸:11.5*5.0*2.0mm
引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
Abracon公司的產(chǎn)品是COTS - 商業(yè)現(xiàn)貨產(chǎn)品;石英晶振適用于商業(yè),工業(yè)和指定的自動(dòng)化應(yīng)用. Abracon的產(chǎn)品不是專為軍事,航空,航空航天,生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的.公司已通過(guò)iso9001 - 2008認(rèn)證,并在德克薩斯州、加利福尼亞州、中國(guó)、臺(tái)灣、新加坡、蘇格蘭、以色列、匈牙利、英國(guó)、德國(guó)等地的德州和銷售辦事處獲得設(shè)計(jì)和應(yīng)用工程資源.
Abracon工程副總裁Syed Raza評(píng)論說(shuō):"半導(dǎo)體技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來(lái),芯片上的皮爾斯石英晶體振蕩器缺乏必要的增益,對(duì)gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響.PAS測(cè)試是診斷可預(yù)防問(wèn)題的最可靠的方法".49S型DIP晶振,11.5*5.0進(jìn)口晶振,ABL3晶振
Abracon晶振,49S插件晶振,ABL3晶振,11.5*5.0mm的49S插件型石英晶體在市面上比較常見(jiàn),但來(lái)自美國(guó)進(jìn)口品牌的這款A(yù)BL3晶振的兩個(gè)引腳比較長(zhǎng),有2.0mm長(zhǎng),擁有緊密的穩(wěn)定性,高可靠性,并且是低成本,比較適合用于高精度TCXO振蕩器,智能家電,時(shí)鐘微處理器,計(jì)算機(jī),智能通信和調(diào)制解調(diào)器等產(chǎn)品上.
厚度單位:全自動(dòng)石英晶振晶片清洗技術(shù):采用高壓噴淋清洗,兆聲振動(dòng)的原理,一個(gè)全自動(dòng),清洗過(guò)程由PLC控制,由傳輸裝置,噴淋清洗段,噴淋漂洗段,風(fēng)力吹水段等,操作自動(dòng)化程度高,除上下工件需要人工外,其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成.
Abracon晶振 |
單位 |
ABL3晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.579545MHZ~70.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-0°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。49S型DIP晶振,11.5*5.0進(jìn)口晶振,ABL3晶振
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英水晶振動(dòng)子產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。Abracon晶振,49S插件晶振,ABL3晶振
1、振蕩電路
橢圓形插件晶體是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。Abracon晶振,49S插件晶振,ABL3晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,石英水晶振子也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于49S插件晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。49S型DIP晶振,11.5*5.0進(jìn)口晶振,ABL3晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
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- KDS晶振
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貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
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- Jauch晶振
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