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Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：5.2*1.4mm

32.768KHz千赫子時鐘晶體，其本身主要應用在時鐘控制產品，或者是控制模塊，主要給時鐘芯片提供一個基準信號，其主要各項功能還得看應用何種產品。本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

訂購熱線：0755-27837162

Abracon公司成立于1992年，總部位于德克薩斯州的斯派伍德，是全球領先的被動和機電同步、同步、電力、連通性和射頻解決方案的制造商Abracon提供了廣泛的石英定時晶體和振蕩器，MEMS振蕩器，實時時鐘(RTC)，藍牙模塊，陶瓷諧振器，鋸濾器和諧振器，功率和射頻電感，變壓器，電路保護元件和射頻天線和無線充電線圈。32.768千赫子時鐘晶體,耐熱音叉式晶體諧振器,AB26TRQ晶振
奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領先的制造商被動&機電時間同步,權力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強調32.768K晶振產品適合使用者應用程序如機頂盒,虛擬現(xiàn)實,便攜式音頻、視頻/電話會議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無人機,相機/攝像機、顯示器和高保真音頻以及專業(yè)應用,如音頻混合器,唱片的質量接收器,廣播工作室相機等設備,路由器和轉換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。

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Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振,超小型,薄型,質地輕的表面插件音叉型晶體諧振器,手機晶體,產品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼產品,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質，壓電性質，溫度性質不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。32.768千赫子時鐘晶體,耐熱音叉式晶體諧振器,AB26TRQ晶振

Abracon晶振	單位	AB26TRQ晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	-0.035 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

AB26TRQ 5.2-1.45

JLX-4

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晶振產品使用每種產品時,請在進口石英晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振
所有產品的共同點：1：抗沖擊:抗沖擊是指無源DIP晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。3：化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致石英進口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。32.768千赫子時鐘晶體,耐熱音叉式晶體諧振器,AB26TRQ晶振

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驅動能力:驅動能力說明進口32.768K晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量無源插件晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在32.768K音叉表晶振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在無源音叉晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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