Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:8.3*2.7mm
Abracon公司的產(chǎn)品是COTS - 商業(yè)現(xiàn)貨產(chǎn)品;適用于商業(yè),工業(yè)和指定的自動化應(yīng)用. Abracon的產(chǎn)品不是專為軍事,航空,航空航天,生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的.電子行業(yè)有一個(gè)非常一致的趨勢,直接取決于時(shí)間 - 隨著技術(shù)越來越小,功耗降低的需求越來越高.解決石英晶體設(shè)計(jì)要求,取決于行業(yè)需求,已經(jīng)成為至關(guān)重要的.
Abracon提供了廣泛的石英定時(shí)晶體和振蕩器,MEMS振蕩器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC),藍(lán)牙模塊,陶瓷諧振器,鋸濾器和諧振器,功率和射頻電感,變壓器,電路保護(hù)元件和射頻天線和無線充電線圈.我們廣泛的產(chǎn)品線服務(wù)于商業(yè),工業(yè),消費(fèi)者和選擇的軍事應(yīng)用,并通過Abracon的全球分銷網(wǎng)絡(luò)提供.低頻無源晶體,32.768K彎角插件晶振,AB26TRJ晶振
Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振,是一款極其耐高溫的8.3*2.7mm彎角插件型32.768K晶振,振蕩時(shí)可承受的溫度范圍是-40℃~+85℃,保存溫度在-55℃~125℃之間,達(dá)到SMD型石英晶振的普通型標(biāo)準(zhǔn),在插件晶振里非常少,AB26TRJ晶振也因此受到廣大客戶群體的支持,被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)級電子數(shù)碼產(chǎn)品身上.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
Abracon晶振 |
單位 |
AB15T晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。低頻無源晶體,32.768K彎角插件晶振,AB26TRJ晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用進(jìn)口晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
1、振蕩電路
音叉水晶振動子是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則32.768K系列晶體振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于進(jìn)口彎腳晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。低頻無源晶體,32.768K彎角插件晶振,AB26TRJ晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
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