TXC晶振,進(jìn)口晶振,8Y晶振
頻率:16.000MHz~54.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.5mm
臺(tái)灣晶技晶振可廣泛使用于行動(dòng)通訊,智能可穿戴裝置,智能家居控制系統(tǒng),服務(wù)器存儲(chǔ)設(shè)備,智能車載,電信,智能醫(yī)療電子等領(lǐng)域,自成立以來始終以提升客戶價(jià)格為目標(biāo),是以無論在價(jià)格,質(zhì)量,交期和服務(wù)方面,力求做到盡心盡力讓客戶滿意.8Y晶體,超小型四腳2016貼片晶振,無源進(jìn)口石英晶振
TXC晶振,進(jìn)口晶振,8Y晶振,屬于世界級(jí)小型SMD晶體,2.0*1.6mm的小體積是這款石英晶振的亮點(diǎn)之一,8Y晶振的厚度僅僅只有0.5mm高,應(yīng)用在任何智能科技產(chǎn)品上都可以大大的節(jié)省電路板空間,為廣大用戶群體帶來更大的商機(jī).
TXC晶振 |
符號(hào) |
8Y晶振 |
TXC晶振基本信息對(duì)照表 |
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16.000MHz~54.000MHz |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C — +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C — +70°C |
TXC晶振特定的溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±10ppm、±20ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點(diǎn)溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF, 10pF, 12pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸無源晶振8Y的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。TXC晶振,進(jìn)口晶振,8Y晶振
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致2016mm進(jìn)口貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致2016金屬面晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。8Y晶體,超小型四腳2016貼片晶振,無源進(jìn)口石英晶振
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。TXC晶振,進(jìn)口晶振,8Y晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。8Y晶體,超小型四腳2016貼片晶振,無源進(jìn)口石英晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)
3.測(cè)試電路
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
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JLX-PD
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