IDT晶振,進(jìn)口壓控晶振,8N4SV75晶振
頻率:15.476MHz~866.67MHz
尺寸:7.0*5.0*1.65mm
在IDT,我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT致力于通過(guò)網(wǎng)站運(yùn)營(yíng)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā),持續(xù)改進(jìn)作為一個(gè)全球性的組織。IDT的集成電路用于世界各地的通信、計(jì)算和消費(fèi)行業(yè)。IDT晶振總部位于加州圣何塞市,在世界各地都設(shè)有設(shè)計(jì)、運(yùn)營(yíng)和銷售設(shè)施。
IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用提供了廣泛的解決方案。IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)解決方案包括網(wǎng)絡(luò)同步產(chǎn)品超越競(jìng)爭(zhēng),使客戶開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的系統(tǒng)。汽車占每年全球主要能源消耗的16%。IDT的產(chǎn)品可以通過(guò)節(jié)能創(chuàng)新來(lái)幫助減少這種消費(fèi)。我們的智能傳感器接口和傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器有助于提高燃料效率和減少碳排放。LVDS可編程壓控晶振,7050mm有源晶體,8N4SV75晶振
IDT晶振,進(jìn)口壓控晶振,8N4SV75晶振.是一款具有非常靈活的頻率和拉范圍編程功能的LVDS可編程頻率VCXO。 該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高時(shí)鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件接受2.5V或3.3V電源,并封裝在小型無(wú)鉛(RoHS 6)6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝中。器件可以工廠編程到15.476范圍內(nèi)的任何頻率 MHz至866.67MHz,從975MHz至1300MHz,頻率精度達(dá)到218Hz以上的非常高的程度。 擴(kuò)展的溫度范圍支持無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施,電信和網(wǎng)絡(luò)終端設(shè)備要求。
IDT晶振 |
標(biāo)示 |
8N4SV75晶振 |
晶振基本信息對(duì)照表 |
標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
15.476MHz~866.67MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對(duì)稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。LVDS可編程壓控晶振,7050mm有源晶體,8N4SV75晶振
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫w可能受到破壞。
(3)請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)石英水晶諧振器產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。IDT晶振,進(jìn)口壓控晶振,8N4SV75晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的可編程有源晶振的振蕩頻率的真實(shí)值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。
有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。IDT晶振,進(jìn)口壓控晶振,8N4SV75晶振
探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法7050大體積晶振輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。
此外,低相位壓控振蕩器振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1。測(cè)量緩沖輸出
2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出
圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。LVDS可編程壓控晶振,7050mm有源晶體,8N4SV75晶振
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