IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振
頻率:15.476MHz~1300.000MHz
尺寸:7.0*5.0*1.5mm
IDT以其智能傳感器和行業(yè)領先的時間組合來處理汽車應用。IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運營其卓越的汽車中心。IDT是為4G、5G和云計算等無線基礎設施應用而設計的高性能的領先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領先的射頻信號鏈產品,串行RapidIO®,和先進的時機。
IDT積極提高貼片晶振產品和包裝,以產生最快、最可靠的設備。然而,由于產品性能往往受到其實現(xiàn)的影響,因此建議仔細考慮影響設備運行溫度的因素,以達到最好的效果。IDT的集成電路用于世界各地的通信、計算和消費行業(yè)。IDT總部位于加州圣何塞市,在世界各地都設有設計、運營和銷售設施。LVDS輸出晶體振蕩器,7.0*5.0mm進口差分晶振,8N4S270晶振
IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振.是具有非常靈活的頻率編程功能的出廠頻率可編程晶體振蕩器。該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術,以實現(xiàn)高時鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件采用2.5V或3.3V電源供電,采用小型,無鉛(RoHS 6)6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝封裝。
該器件可以在工廠編程為15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz的范圍內,并且支持非常高的218Hz或更高的頻率精度。擴展的溫度范圍支持無線基礎設施,電信和網(wǎng)絡終端設備要求。
IDT晶振 |
標示 |
8N4S270晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
15.476MHz~1300.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標準頻率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用差分晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致LVDS晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容)。LVDS輸出晶體振蕩器,7.0*5.0mm進口差分晶振,8N4S270晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能差分晶體振蕩器導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容)。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。LVDS輸出晶體振蕩器,7.0*5.0mm進口差分晶振,8N4S270晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加六腳差分晶體振蕩器振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致差分貼片晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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