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IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振

頻率：15.476MHz~1300.000MHz

尺寸：7.0*5.0*1.55mm

壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

IDT-1

IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用提供了廣泛的解決方案。IDT提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM內(nèi)存接口解決方案,串行RapidIO®,PCI Express®開(kāi)關(guān)和橋梁,信號(hào)完整性的產(chǎn)品,世界級(jí)的時(shí)機(jī)、高性能計(jì)算、高效電源管理解決方案和基于云計(jì)算的企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用程序?？删幊蘓CXO振蕩器,六腳金屬殼封裝有源晶振,8N4DV85晶振
IDT開(kāi)發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案，例如處理器和內(nèi)存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT晶振致力于通過(guò)網(wǎng)站運(yùn)營(yíng)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，持續(xù)改進(jìn)作為一個(gè)全球性的組織。

JLX-1

IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振.是具有非常靈活的頻率和拉范圍編程能力的LVDS雙頻可編程VCXO。該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高時(shí)鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件接受2.5V或3.3V電源，并封裝在小型無(wú)鉛（RoHS 6）6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝中。器件可以工廠編程為任何兩個(gè)頻率范圍內(nèi)的15.476MHz到866.67MHz，從975MHz到1300MHz到非常高的頻率精度為218Hz或更好。
帶有壓控功能的壓控晶振為（VCXO），即通過(guò)調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值。此值一般用ppm表示。通常牽引范圍大約為100 - 200ppm，取決于VCXO壓控晶振的結(jié)構(gòu)和所選擇的晶體。
JLX-2

RB-2

IDT晶振	標(biāo)示	8N4DV85晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	15.476MHz～1300MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V、＋2.8V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±10×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

JLX-3

RB-3

8N4DV85 7050 VCXO LVDS

JLX-4

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清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題，但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶體振蕩器產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
撞擊
雖然壓控晶體振蕩器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過(guò)度的撞擊，以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用。
裝載
＜SMD產(chǎn)品＞
SMD晶振產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝，但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試，確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響。在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得貼片晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng)，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使用?？删幊蘓CXO振蕩器,六腳金屬殼封裝有源晶振,8N4DV85晶振
＜引線類(lèi)型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路
六腳VCXO振蕩器是有源元件，因此不會(huì)受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使不在振蕩功率作用下，電壓控制晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K范圍。可編程VCXO振蕩器,六腳金屬殼封裝有源晶振,8N4DV85晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。