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IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振

頻率：15.476MHz~866.670MHz

尺寸：7.0*5.0*1.55mm

IDT8N3D085是具有非常靈活的頻率編程功能的LVPECL雙頻可編程晶體振蕩器,該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高時(shí)鐘頻率和低相位噪聲性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

IDT-1

IDT提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM內(nèi)存接口解決方案,串行RapidIO®,PCI Express®開關(guān)和橋梁,信號(hào)完整性的產(chǎn)品,世界級(jí)的時(shí)機(jī)、高性能計(jì)算、高效電源管理解決方案和基于云計(jì)算的企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用程序。IDT晶振積極提高產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設(shè)備。然而，由于產(chǎn)品性能往往受到其實(shí)現(xiàn)的影響，因此建議仔細(xì)考慮影響設(shè)備運(yùn)行溫度的因素，以達(dá)到最好的效果。
IDT開發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案，例如處理器和內(nèi)存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT致力于通過網(wǎng)站運(yùn)營(yíng)和產(chǎn)品開發(fā)，持續(xù)改進(jìn)作為一個(gè)全球性的組織。LVPECL差分輸出晶振,可編程石英振蕩子,8N3D085晶振
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IDT-2

IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振.具有非常靈活的頻率編程功能的LVPECL雙頻可編程晶體振蕩器。該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高時(shí)鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件接受2.5V或3.3V電源，并封裝在小型無鉛（RoHS 6）6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝中。
采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的石英晶體振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的石英晶體振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能。但相對(duì)的，擁有好的相位噪聲和抖動(dòng)的同時(shí)振蕩器的設(shè)計(jì)復(fù)雜，體積大，頻率低，造價(jià)高。
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IDT晶振	標(biāo)示	8N3D085晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	15.476MHz～866.670MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V、＋2.8V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±25、±50、±100×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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8N3D085 7050 LVPECL

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噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能會(huì)導(dǎo)致可編程硅晶體差分晶振引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近六腳差分晶體振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí)，當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí)，電源功率消耗也會(huì)增加；因此，請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時(shí)，請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會(huì)導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。LVPECL差分輸出晶振,可編程石英振蕩子,8N3D085晶振

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振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。LVPECL差分輸出晶振,可編程石英振蕩子,8N3D085晶振
有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最
精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振