TXC晶振,貼片晶振,7M晶振
頻率:10.000MHz~114.285MHz
尺寸:3.2*2.5*0.7mm
TXC晶振公司是一家領先的專業(yè)頻率控制,溫補晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體諧振器,石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產品制造商致力于研究,設計,制造和銷售雙列直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體和振蕩器產品。透由持續(xù)改善以及紀律、執(zhí)行力之要求,達成產業(yè)升級,并以專業(yè)素養(yǎng)以及全球化布局,成為國際級廠商之一員。
TXC晶技晶振集團消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少晶體諧振器、溫補晶振(TCXO)材料廢物的產生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.TXC晶振將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進、污染預防和員工的努力納入日常運行當中.加強污染防治,減少現有的污染廢棄物以及在未來晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO),石英晶振生產制造中所產生的污染.TXC晶振,貼片晶振,7M晶振
TXC晶振,貼片晶振,7M晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
TXC石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。金屬面四腳石英晶體,3225貼片無源晶振,7M晶振
TXC晶振 |
單位 |
7M晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
10.000MHz~114.285MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~200μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30×10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
18pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-20°C~ +70°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果晶振已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。TXC晶振,貼片晶振,7M晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解SMD晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。金屬面四腳石英晶體,3225貼片無源晶振,7M晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞進口晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
1、振蕩電路
3225貼片晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。金屬面四腳石英晶體,3225貼片無源晶振,7M晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
無源石英晶體諧振器振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調節(jié)負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。TXC晶振,貼片晶振,7M晶振
適當的控制電阻值(RD)取決于3225mm無源晶體的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
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