TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振
頻率:8.000MHz
尺寸:5.0*3.2*1.2mm
智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
臺灣晶技TXC晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售,并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求,透由持續(xù)改善以及紀(jì)律、執(zhí)行力之要求,達(dá)成產(chǎn)業(yè)升級,并以專業(yè)素養(yǎng)以及全球化布局,成為國際級廠商之一員。
貼片晶振可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。多年來,我們始終以提升客戶價(jià)值為目標(biāo),是以無論在價(jià)格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面,均盡力盡心于超越客戶的期待,并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促。企業(yè)的核心價(jià)值在于所宣達(dá)之經(jīng)營理念以及相隨之企業(yè)愿景及使命,是以企業(yè)為求永續(xù)之發(fā)展,無不用心于長遠(yuǎn)架構(gòu)之建立,以及核心價(jià)值之建構(gòu)之上。
TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振.產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會使臺灣晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振
TXC晶振 |
標(biāo)示 |
7C晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
1.000MHz~150.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+1.8V~+5.0V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
15pF,30pF,50pF |
CMOS 出力 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±25×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
臺灣TXC品牌7C08000001晶振系列原廠編碼:
Number原廠代碼 | 品牌 | 型號 | T類型 | 頻率 | 頻率穩(wěn)定度 | 工作溫度 | 尺寸 | 高度 |
7C04000061 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 4MHz | ±50ppm | -20°C ~ 70°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C06123001 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 6.144MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C08000001 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 8MHz | ±50ppm | -10°C ~ 70°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C16000017 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 16MHz | ±30ppm | -20°C ~ 70°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C20000003 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 20MHz | ±30ppm | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C22500002 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 22.5792MHz | ±30ppm | -20°C ~ 70°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C24000002 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 24MHz | ±50ppm | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C24000006 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 24MHz | ±20ppm | -20°C ~ 70°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
7C24000012 | TXC CORPORATION | 7C | XO (Standard) | 24MHz | ±30ppm | -10°C ~ 70°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055" (1.40mm) |
根據(jù)特定的內(nèi)部結(jié)構(gòu),支架的內(nèi)部將石英SMD晶振單元抽空或填充惰性氣體以保持其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
超聲波焊接機(jī)的使用
超聲波焊接機(jī)的使用會導(dǎo)致降解超聲共振引起的工作特性分析水晶碎片。
表面安裝型晶體單元的安裝
(1)嚴(yán)重的溫度變化
在長時(shí)間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會破裂;這是由于擴(kuò)張?jiān)斐傻挠∷⒕€路板的溫度系數(shù)不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預(yù)期會出現(xiàn)這種情況并避免此類問題。
(2)自動安裝引起的沖擊
請注意,在自動安裝過程中,此類過程作為吸附,夾緊或安裝到電路板上,可以對SMD振蕩器施加太大的機(jī)械沖擊,并且電氣特性可能會改變或惡化。
(3)彎曲PC板引起的應(yīng)力
如果晶體單元焊接到PC板后,則電路板是彎曲,機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
(4)接地端子
如果晶體單元配有接地端子,請確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地,可能無法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
5032貼片晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?;旧?,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。
臺灣TXC有源7C晶振系列型號規(guī)格圖:
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。進(jìn)口晶體振蕩器電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他 輸入電容低于 15 pF, 5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致有源晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于石英晶振的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
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