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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振

頻率:8.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線:0755-27837162

           臺灣晶技TXC晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售,并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求,透由持續(xù)改善以及紀(jì)律、執(zhí)行力之要求,達(dá)成產(chǎn)業(yè)升級,并以專業(yè)素養(yǎng)以及全球化布局,成為國際級廠商之一員。
           貼片晶振可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。多年來,我們始終以提升客戶價(jià)值為目標(biāo),是以無論在價(jià)格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面,均盡力盡心于超越客戶的期待,并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促。企業(yè)的核心價(jià)值在于所宣達(dá)之經(jīng)營理念以及相隨之企業(yè)愿景及使命,是以企業(yè)為求永續(xù)之發(fā)展,無不用心于長遠(yuǎn)架構(gòu)之建立,以及核心價(jià)值之建構(gòu)之上。

            TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振.產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
            貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會使臺灣晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振

TXC晶振

標(biāo)示

7C晶振

晶振基本信息對照表

標(biāo)準(zhǔn)范圍

f0

1.000MHz~150.000MHz

 

電源電圧

Vcc

1.8V~5.0V

 

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

頻率負(fù)載

L_CMOS

15pF,30pF,50pF

CMOS 出力

標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差

f_tol

±25×10-6 max.

7CZ 5032mm 32.768K

初期偏差、
周波數(shù)溫度特性、
電源、負(fù)荷変動特性、
経時(shí)変化(1年、+25℃時(shí))

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對稱

SYM

40%60%

50% Vcc

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%、L_CMOS=15pF

臺灣TXC品牌7C08000001晶振系列原廠編碼:

Number原廠代碼 品牌 型號 T類型 頻率 頻率穩(wěn)定度 工作溫度 尺寸 高度
7C04000061 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 4MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C06123001 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 6.144MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C08000001 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 8MHz ±50ppm -10°C ~ 70°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C16000017 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 16MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C20000003 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 20MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C22500002 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 22.5792MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C24000002 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C24000006 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 24MHz ±20ppm -20°C ~ 70°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)
7C24000012 TXC CORPORATION 7C XO (Standard) 24MHz ±30ppm -10°C ~ 70°C 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.055" (1.40mm)

TXC_7C_5.0_3.2 CMOS

根據(jù)特定的內(nèi)部結(jié)構(gòu),支架的內(nèi)部將石英SMD晶振單元抽空或填充惰性氣體以保持其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
超聲波焊接機(jī)的使用
       超聲波焊接機(jī)的使用會導(dǎo)致降解超聲共振引起的工作特性分析水晶碎片。
表面安裝型晶體單元的安裝
(1)嚴(yán)重的溫度變化
       在長時(shí)間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會破裂;這是由于擴(kuò)張?jiān)斐傻挠∷⒕€路板的溫度系數(shù)不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預(yù)期會出現(xiàn)這種情況并避免此類問題。
(2)自動安裝引起的沖擊
       請注意,在自動安裝過程中,此類過程作為吸附,夾緊或安裝到電路板上,可以對SMD振蕩器施加太大的機(jī)械沖擊,并且電氣特性可能會改變或惡化。
(3)彎曲PC板引起的應(yīng)力
       如果晶體單元焊接到PC板后,則電路板是彎曲,機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
(4)接地端子
       如果晶體單元配有接地端子,請確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地,可能無法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
       5032貼片晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?;旧?,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。

臺灣TXC有源7C晶振系列型號規(guī)格圖:

7CFM

          測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。進(jìn)口晶體振蕩器電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他 輸入電容低于 15 pF, 5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)

           負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致有源晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。TXC晶振,有源晶振,7C晶振,7C08000001晶振

            振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。 

           適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于石英晶振的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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