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TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,6U-16.384MBE-T晶振

頻率：1~59MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

智能手機(jī)壓電石英晶體,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,6U-16.384MBE-T晶振,晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

5032mm體積的石英晶體振蕩器,OSC晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊盤(pán),及IR回流焊盤(pán)(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

TXC晶振公司是一家領(lǐng)先的專業(yè)頻率控制，溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器，石英晶體諧振器,石英晶體，石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產(chǎn)品制造商致力于研究，設(shè)計(jì)，制造和銷售雙列直插封裝（DIP）和表面貼裝器件（SMD）石英晶體和振蕩器產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)三十年的努力，臺(tái)灣晶技總公司而外，另設(shè)有如下之生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)：總公司：臺(tái)北市北投區(qū)中央南路二段16號(hào)4樓,平鎮(zhèn)廠：桃園市平鎮(zhèn)區(qū)平鎮(zhèn)工業(yè)區(qū)工業(yè)六路4號(hào),寧波廠：寧波市北侖區(qū)黃山西路189號(hào),重慶廠：重慶市九龍坡區(qū)鳳笙路22號(hào).

TXC晶振目前專業(yè)從事這些類別的產(chǎn)品：進(jìn)口晶振（32.768kHz，基本兆赫，高精度的兆赫，汽車級(jí)）愿景宣言:矢志提供信息、通訊、光電、汽車產(chǎn)業(yè)頻率控制組件所需之各項(xiàng)應(yīng)用產(chǎn)品，并于2015年達(dá)成兩百億之營(yíng)業(yè)目標(biāo)，同時(shí)成為全球石英晶體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)績(jī)效最好公司之一以及石英產(chǎn)業(yè)的前三大。

TXC晶振規(guī)格	6U晶振
驅(qū)動(dòng)輸出	COMS
常用頻率	1~59MHZ
工作電壓	+3.3,5V（代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能
靜態(tài)電流	（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時(shí)）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負(fù)載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規(guī)溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

臺(tái)產(chǎn)TXC壓控石英進(jìn)口晶振型號(hào)列表：

Series型號(hào)	Part Status	Type 類型	Frequency 頻率	Frequency Stability頻率穩(wěn)定度	Operating Temperature 工作溫度	Current - Supply (Max)	Ratings	Mounting Type安裝類型	Package / Case包裝/封裝	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
6U	Active	VCXO	16.384MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	45mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)
6U	Active	VCXO	16.384MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	45mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)
6U	Active	VCXO	16.384MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	45mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)
BF	Active	XO (Standard)	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	80mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)
BF	Active	XO (Standard)	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	80mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)
BF	Active	XO (Standard)	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	80mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)
BF	Active	XO (Standard)	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	80mA	-	Surface Mount	6-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.059" (1.50mm)

臺(tái)產(chǎn)TXC壓控石英進(jìn)口晶振代碼列表：

Manufacturer Part Number原廠代碼

Manufacturer品牌

Series型號(hào)

Part Status

Type 類型

Frequency 頻率

Frequency Stability頻率穩(wěn)定度

Operating Temperature 工作溫度

Current - Supply (Max)

Ratings

Mounting Type安裝類型

Package / Case包裝/封裝

Size / Dimension 尺寸

Height - Seated (Max)高度

6U-16.384MBE-T

TXC CORPORATION

Active

VCXO

16.384MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

45mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

6U-16.384MBE-T

TXC CORPORATION

Active

VCXO

16.384MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

45mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

6U-16.384MBE-T

TXC CORPORATION

Active

VCXO

16.384MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

45mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

BF-125.000MBE-T

TXC CORPORATION

Active

XO (Standard)

125MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

80mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

BF-125.000MBE-T

TXC CORPORATION

Active

XO (Standard)

125MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

80mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

BF-125.000MBE-T

TXC CORPORATION

Active

XO (Standard)

125MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

80mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

BF-100.000MBE-T

TXC CORPORATION

Active

XO (Standard)

100MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

80mA

Surface Mount

6-SMD, No Lead

0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)

0.059" (1.50mm)

TXC_6U_7_5 CMOS VCXO

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>TXC臺(tái)產(chǎn)晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,6U-16.384MBE-T晶振

晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了7050晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無(wú)線晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在有源進(jìn)口晶體振蕩器電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。TXC晶振,壓控晶振,6U晶振,6U-16.384MBE-T晶振

接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)臺(tái)灣進(jìn)口晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

20181212163818

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明高性能輸出晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

20181212163938

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量筆記本電腦晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

20181212163902