石英晶振,DIP插件晶振,49S晶振
頻率:3.500MHz~80.000MHz
尺寸:11.05*4.65mm
中國(guó)最大晶振廠家金洛鑫電子專業(yè)生產(chǎn)供應(yīng)石英晶振,49/S,49/U,49/SSMD,6035mm,5032mm,3225mm圓柱晶振系列.應(yīng)頻率從3,579545MHZ----75MHZ,其中基頻AT切范圍從3,579545MHZ----27MHZ;基頻BT切范圍從24MHZ----40MHZ; 頻率頻差范圍:+/-5PPM--+/-50PPM;負(fù)載電容:12---50PF或串聯(lián);激勵(lì)功率:0,1--2M;溫度范圍:-20-----70;電阻:30OHM.目前公司晶振業(yè)務(wù)范圍遍及國(guó)內(nèi)十多個(gè)省市,與國(guó)內(nèi)多家知名企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系。
金洛鑫電子有限公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售:石英晶振、表晶32.768KHZ、陶瓷晶振、貼片晶振、陶瓷SMD濾波器、聲表面DIP濾波器、SMD聲表面濾波器、諧振器、產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鐘表、通訊設(shè)備、電腦、音響、儀器儀表、家用電器、衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)、及各種頻 率控制設(shè)備。在多年來(lái)的發(fā)展,公司已擁有一支優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì),建立了健全的供應(yīng)系統(tǒng)與服務(wù)體系,具備較強(qiáng)的專業(yè)配套供應(yīng)及應(yīng)變能力。
石英晶振,DIP插件晶振,49S晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶體諧振器該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。橢圓形插件晶振,石英晶振,49S晶振
石英晶振 |
標(biāo)示 |
49S晶振 |
基本信息對(duì)照表 |
crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.500MHz~80.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
晶振標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10(100)μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30~±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明 |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30×10-6/-40°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系金洛鑫電子. |
負(fù)載電容 |
CL |
seire,10pF,12pF,16pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系金洛鑫電子. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
插件石英晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。石英晶振,DIP插件晶振,49S晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解兩腳插件石英晶體諧振器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。橢圓形插件晶振,石英晶振,49S晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞49S插件晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。橢圓形插件晶振,石英晶振,49S晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)石英晶振,DIP插件晶振,49S晶振
3.測(cè)試電路
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
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石英晶振
QuartzCrystal
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