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DSX211G車載專用諧振器,大真空晶振,1ZZCAA27120CD0A貼片晶體

頻率:27.12MHZ

尺寸:2.0*1.6mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
訂購熱線:0755-27837162
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     DSX211G車載專用諧振器,大真空晶振,1ZZCAA27120CD0A貼片晶體,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
     DSX211G車載專用諧振器,大真空晶振,1ZZCAA27120CD0A貼片晶體,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

項目   型名 DSX211G
周波數(shù)範(fàn)囲
 27.12MHZ


オーバトーン次數(shù)
Fundamental
負(fù)荷容量

勵振レベル
10μW(100μW max.)
周波數(shù)許容偏差
±10×10−6  (at 25℃)
直列抵抗
200Ω max. 150Ω max. 120Ω max. 80Ω max.
周波數(shù)溫度特性
±20×10−6  (−40 ~+85℃)
保存溫度範(fàn)囲
−40 ~+85℃
梱包単位 (1)
3000pcs./reel(φ180)

DSX211G 2016

1.電源旁路電容在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:

1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英貼片晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)DSX211G車載專用諧振器,大真空晶振,1ZZCAA27120CD0A貼片晶體.
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

DSX211G 11

設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
        驅(qū)動能力說明石英晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
        驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
        其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
        Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補(bǔ)償
       除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
        如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致KDS晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
        其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

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JLX-6

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