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KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0mm

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.

訂購熱線：0755-27837162

KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,KDS大真空晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場,KDS晶振品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的生產(chǎn)設(shè)備,KDS晶振產(chǎn)品價(jià)格 “更便宜,更快,更好的產(chǎn)品”,節(jié)省勞動(dòng)力,自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢(shì),以滿足交貨時(shí)間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
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KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

項(xiàng)目

型名

DST1610A

DST1610AL

DST210AC

周波數(shù)範(fàn)囲

32.768kHz

負(fù)荷容量

12.5pF

勵(lì)振レベル

0.1μW （0.5μW max.）

周波數(shù)許容偏差

±20×10−6(at 25℃）

直列抵抗

50kΩ max.

80kΩ max.

頂點(diǎn)溫度

+25℃±5℃

二次溫度係數(shù)

−0.04×10−6/℃ 2 max.

動(dòng)作溫度範(fàn)囲

−40 ~ +85℃

保存溫度範(fàn)囲

−40 ~ +85℃

並列容量

1.6pF typ.

1.3pF typ.

1.2pF typ.

1.3pF typ.

梱包単位 (1)

3000pcs/reel (φ180)

1.電源旁路電容在使用晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英貼片晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。