KDS大真空晶振,DT-26電話機晶體,1TD1001HNS001諧振器
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0*6.0mm
KDS大真空晶振,DT-26電話機晶體,1TD1001HNS001諧振器,KDS大真空晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領了中國市場,KDS晶振品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術,一流的生產(chǎn)設備,KDS晶振產(chǎn)品價格 “更便宜,更快,更好的產(chǎn)品”,節(jié)省勞動力,自動化生產(chǎn)設施的優(yōu)勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
KDS大真空晶振,DT-26電話機晶體,1TD1001HNS001諧振器,KDS還擁有遍布全球的銷售網(wǎng)絡,另外在大陸地區(qū)有極少數(shù)的代理商.深圳市金洛電子有限公司是其較早的代理,該司在上海、深圳、蘇州和香港以及美國等地設有辦事機構,能快速準確的為客戶提供高品質的KDS產(chǎn)品以及優(yōu)質的服務,在行業(yè)內(nèi)有一定的知名度.自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術更新從未間斷,從最初的32.768K晶振為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶振,石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界OSC振蕩器之中最小的.
KDS大真空晶振,DT-26電話機晶體,1TD1001HNS001諧振器,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
項目 | 型名 | DT-38 | DT-381 | DT-26 | DT-261 | |||||||||||
周波數(shù)範囲 |
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|
32.768kHz |
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負荷容量 |
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10pF | ||||||||||||||
勵振レベル |
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1.0μW(2.0μW max.) | ||||||||||||||
周波數(shù)許容偏差 |
|
±2×10−6 (at 25℃) | ||||||||||||||
直列抵抗 |
|
30kΩ max. (2) | 40kΩ max. (2) | |||||||||||||
頂點溫度 |
|
+25℃±5℃ | ||||||||||||||
二次溫度係數(shù) |
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−0.04×10−6/℃ 2 max. | ||||||||||||||
動作溫度範囲 |
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−10 ~+60℃ | ||||||||||||||
保存溫度範囲 |
|
−20 ~+70℃ | ||||||||||||||
並列容量 |
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1.3pF typ. | (2) | 1.1pF typ. |
(2) |
1.電源旁路電容在使用晶振時應注意以下事項:
1:抗沖擊抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英貼片晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.KDS大真空晶振,DT-26電話機晶體,1TD1001HNS001諧振器.
4:粘合劑
請勿使用可能導致貼片石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明石英晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致KDS晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
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