在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.

因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無完人,史前無例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為石英晶體元器件更是離不開的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開拓廣闊前景. 　愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶振元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.

EPSON晶體,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

小型貼片3225晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210STF	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	33.330000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	125.006250 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	200.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0041710298	SG-210STF	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710299	SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710300	SG-210STF	33.330000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710304	SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0042410001	SG3225VAN	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410002	SG3225VAN	125.006250 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410004	SG3225VAN	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410005	SG3225VAN	200.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存壓電石英晶體時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

金屬面晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng).

振蕩補(bǔ)償:除非在進(jìn)口晶體振蕩器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過3225車載設(shè)備振蕩器測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下小體積OSC振蕩器（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

振蕩補(bǔ)償:除非在金屬面貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。