2007、CTS完成陶瓷晶振收購，提供傳感器在軍事和航空航天市場(chǎng)的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此，CTS增強(qiáng)其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷具有獨(dú)特的能力范圍2008 tusonix，公司收購，在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù)，增加了電磁和射頻干擾（EMI/RFI）濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購，在精度和頻率的晶體振蕩器的設(shè)計(jì)制造的領(lǐng)導(dǎo)者。此次收購擴(kuò)大了CTS的技術(shù)和工程能力。
1999，CTS收購了摩托羅拉的組件產(chǎn)品部門（CPD）。更名為CTS的無線組件，這一收購將CTS晶振在新興的手機(jī)和基站市場(chǎng)前沿通過陶瓷過濾器的制造，雙工器和其他通信組件。此外，90年代后期與美國(guó)動(dòng)力公司（DCA）的合并，增強(qiáng)了CTS作為電子元件的主要生產(chǎn)商的地位。在之后的十年，為了滿足不斷增長(zhǎng)的全球市場(chǎng)需求，CTS完成擴(kuò)建工廠在墨西哥，新加坡，蘇格蘭，美國(guó)，加拿大，香港和臺(tái)灣，進(jìn)一步增加了CTS的全球影響力。
CTS晶振,貼片晶振,TFPMN晶振,石英晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英貼片晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號(hào)。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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CTS晶振 |
單位 |
TFPMN晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
0.5~1.0μW Max. |
推薦:0.5~1.0μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10,20× 10-6 |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±15~±100× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7,9,12.5PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管SMD進(jìn)口晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于時(shí)鐘晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免32.768K石英晶體諧振器該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。CTS晶振,貼片晶振,TFPMN晶振,石英晶振
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量7015石英晶體諧振器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.768KHz晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過7015晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
愛普生晶振,貼片晶振,MC-146晶振,MC-146 32.768KA-AC3
愛普生晶振,貼片晶振,MC-146晶體,MC-146 32.768KA-AC3
Raltron晶振,進(jìn)口晶振,H14晶振
AEL晶振,貼片晶振,60612晶振,石英晶振
Transko晶振,CS71晶振,CS71-A-32.768K-7-TR晶振