2007、CTS完成α陶瓷收購(gòu)，提供傳感器在軍事和航空航天市場(chǎng)的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此，CTS增強(qiáng)其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷諧振器具有獨(dú)特的能力范圍2008 tusonix，公司收購(gòu)，在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù)，增加了電磁和射頻干擾（EMI/RFI）濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購(gòu)，在精度和頻率的晶體振蕩器的設(shè)計(jì)制造的領(lǐng)導(dǎo)者。此次收購(gòu)擴(kuò)大了CTS的技術(shù)和工程能力。2012也是CTS收購(gòu)了研發(fā)技術(shù)的一年，該公司是一家私人定制的傳感器、開關(guān)和機(jī)電組件制造商，服務(wù)于汽車輕車市場(chǎng)。此次收購(gòu)顯著擴(kuò)大CTS的戰(zhàn)略汽車傳感器產(chǎn)品平臺(tái)與新客戶和更廣泛的產(chǎn)品組合。
作為CTS過渡到上世紀(jì)70年代，環(huán)境污染問題導(dǎo)致美國(guó)政府授權(quán)的汽車排放控制要求。節(jié)氣門位置傳感和排氣再循環(huán)控制的需要將CTS浸入到引擎蓋和底盤位置傳感器業(yè)務(wù)中，為公司打開新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。最近，CTS的汽車晶振產(chǎn)品擴(kuò)展到商用車、越野和重型設(shè)備市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了戰(zhàn)略增長(zhǎng)的里程碑。CTS開發(fā)并推出了強(qiáng)大的智能執(zhí)行器?為燃料配送管理等應(yīng)用中，可變?nèi)~片渦輪增壓器的控制，為各種大型柴油機(jī)管理功能，適合。另外，CTS汽車用品位置傳感器的小型發(fā)動(dòng)機(jī)市場(chǎng)（摩托車、沙灘車、舷外發(fā)動(dòng)機(jī)等）。

CTS晶振,貼片晶振,TFE16晶振,美國(guó)諧振器,貼片石英晶體諧振器，又簡(jiǎn)稱為排帶包裝，這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝，使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接，大大節(jié)約人工，提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體，其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品，或者是控制模塊，主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)，其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。如果小型貼片晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

振蕩補(bǔ)償:除非在32.768K壓電石英晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。CTS晶振,貼片晶振,TFE16晶振,美國(guó)諧振器

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過進(jìn)口SMD晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.768K音叉晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過1610千赫晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。