1999，CTS收購(gòu)了摩托羅拉的組件產(chǎn)品部門(mén)（CPD）。更名為CTS的無(wú)線組件，這一收購(gòu)將CTS在新興的手機(jī)和基站市場(chǎng)前沿通過(guò)陶瓷過(guò)濾器的制造，雙工器和其他通信組件。此外，90年代后期與美國(guó)動(dòng)力公司（DCA）的合并，增強(qiáng)了CTS晶振作為電子元件的主要生產(chǎn)商的地位。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購(gòu)，在精度和頻率的晶體振蕩器的設(shè)計(jì)制造的領(lǐng)導(dǎo)者。此次收購(gòu)擴(kuò)大了CTS的技術(shù)和工程能力。
作為CTS過(guò)渡到上世紀(jì)70年代，環(huán)境污染問(wèn)題導(dǎo)致美國(guó)政府授權(quán)的汽車排放控制要求。節(jié)氣門(mén)位置傳感和排氣再循環(huán)控制的需要將CTS浸入到引擎蓋和底盤(pán)位置傳感器業(yè)務(wù)中，為公司打開(kāi)新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。在之后的十年，為了滿足不斷增長(zhǎng)的全球市場(chǎng)需求，CTS完成擴(kuò)建石英晶振工廠在墨西哥，新加坡，蘇格蘭，美國(guó)，加拿大，香港和臺(tái)灣，進(jìn)一步增加了CTS的全球影響力。

CTS晶振,貼片晶振,TFA20晶振,石英晶體諧振器,32.768K音叉型石英晶體諧振器產(chǎn)品具有以下幾種規(guī)格，∅3*8，∅2*6，我公司所有材料均是來(lái)自日本進(jìn)口，封裝測(cè)試設(shè)備采用日本精工儀器設(shè)備，并且從日本聘請(qǐng)高級(jí)技術(shù)工程師，我司所生產(chǎn)的32.768K晶體具備一致性良好，頻率穩(wěn)定度高，耐抗震強(qiáng)，每批次出廠均采用24小時(shí)老化測(cè)試，產(chǎn)品精度分為以下幾±20ppm，±10ppm，±5ppm，也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差，或者-偏差，產(chǎn)品使用溫度高溫可達(dá)到+70°低溫可達(dá)到-40°產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到比較高端的汽車電子產(chǎn)品，民用產(chǎn)品有家用電器，智能筆記本，MP3，MP4多功能播放器，智能手表等產(chǎn)品。
通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重進(jìn)口貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄，貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是進(jìn)口石英晶振阻力的至少五倍。它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。如果音叉型晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如是這樣的話，我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致2012石英晶體諧振器蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。CTS晶振,貼片晶振,TFA20晶振,石英晶體諧振器

1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。音叉型石英晶體諧振器振的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在千赫茲貼片晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。