京瓷集團(tuán)通過(guò)追求生態(tài)和經(jīng)濟(jì)倡議,開(kāi)展旨在實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的環(huán)境活動(dòng)。我們以節(jié)約能源和減緩氣候變化措施尤為活躍,如安裝屋頂太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和節(jié)能設(shè)備,與日益增長(zhǎng)的“綠色窗簾”在Windows和公司設(shè)施外墻減少空調(diào)負(fù)荷。我們也通過(guò)生物多樣性保護(hù)為社區(qū)作出貢獻(xiàn)。為表彰這些努力,京瓷晶振在日本連續(xù)第六年獲得環(huán)境部長(zhǎng)頒發(fā)的全球暖化預(yù)防活動(dòng)獎(jiǎng)。
京瓷晶振,貼片晶振,CX2016DB晶振,CX2016DB38400C0WPLA2晶振.貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
京瓷石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。CX2016DB38400C0WPLA2晶振,2016mm車載晶振,CX2016DB晶振
京瓷晶振 |
單位 |
CX2016DB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24.000MHz~60.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書(shū)中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。京瓷晶振,貼片晶振,CX2016DB晶振,CX2016DB38400C0WPLA2晶振
<晶體振蕩器>
石英晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書(shū)。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過(guò)程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開(kāi)封以后,請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。CX2016DB38400C0WPLA2晶振,2016mm車載晶振,CX2016DB晶振
1、振蕩電路
車載級(jí)貼片晶振是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。CX2016DB38400C0WPLA2晶振,2016mm車載晶振,CX2016DB晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
2016晶體的振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。京瓷晶振,貼片晶振,CX2016DB晶振,CX2016DB38400C0WPLA2晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于京瓷小體積晶振的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。