SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫，也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商，同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件，在石英振子這一方面，SII也是做的非常之出色的,目前，能夠與日本精工晶振全球同等級(jí)競爭的，只有日本大真空KDS。

精工晶振的代理商都知道精工常用的頻率都是32.768KHZ的，因此精工晶振通常也被稱為精工表晶。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號(hào)并不是很多，但是質(zhì)量絕對可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。目前精工SEIKO已被列入全球晶振行業(yè)十強(qiáng)企業(yè)名單中。2012年精工SEIKO集團(tuán)在國內(nèi)投資1530萬美元建設(shè)生產(chǎn)基地。更大的彌補(bǔ)了國內(nèi)市場對高端晶體的需求。

精工晶振,SC-12S晶振,小體積晶振,是SMD時(shí)鐘型晶體諧振器,貼片式音叉晶體的千赫子頻率元器件,主要應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng).我司金洛電子主要代理日本進(jìn)口石英晶體諧振器,愛普生晶振,KDS晶體,西鐵城晶振,精工晶體,日本進(jìn)口的32.768KHz系列晶振產(chǎn)品多元化,外觀尺寸有多項(xiàng)選擇,并且支持無源以及有源晶振應(yīng)用,有一個(gè)很棒的是幾個(gè)知名晶振品牌之間產(chǎn)品可以交替替換.四大日本進(jìn)口晶振外觀尺寸均是一致，產(chǎn)品頻率，精度，負(fù)載都可以達(dá)到相同，所以消費(fèi)者在使用方面得到很到的保障，這幾款產(chǎn)品本身使用無鉛化，卷帶SMD包裝，產(chǎn)品一般應(yīng)用在智能手機(jī)，控制模組，GPS導(dǎo)航模塊，小型藍(lán)牙對接產(chǎn)品等設(shè)備。

晶體無信號(hào)輸出

1-1.

請測量信號(hào)輸出的兩個(gè)終端水晶使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器。如果沒有信號(hào)輸出,請按照步驟1到步驟1 - 4執(zhí)行檢查。如果有信號(hào)輸出,終端的石英晶體(Xout),但在沒有信號(hào)輸出(新),請檢查后的水晶step1-5步驟1 - 6.

1-2.

請卸載水晶和測試頻率和負(fù)載電容是否他們振動(dòng),滿足你的規(guī)格使用專業(yè)測試機(jī)。你也可以寄給你的供應(yīng)商為你測試它。

1-3.

如果有下列情況發(fā)生,水晶不振動(dòng),其負(fù)載電容不匹配你的規(guī)范,或者是一個(gè)電流頻率和你的目標(biāo)之間的巨大差距的頻率,請把水晶給你的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。如果頻率和負(fù)載電容滿足您的規(guī)格,我們需要進(jìn)行等效電路測試

1-4.

等效電路的測試

1-4-1.

一般來說,微處理器來自科耳皮茲電路的振蕩電路顯示如下:

Cd和Cg外部負(fù)載各,已建成的晶片組。(請參考規(guī)格的芯片集)

射頻是反饋電阻with200KΩmΩ~ 1。這是建在芯片設(shè)置一般。

Rd限制與470Ω~ 1 kΩ電阻器。這種抵抗是不常見的電路只有電路所需電源。

1-4-2。

穩(wěn)定的振蕩電路需要負(fù)電阻,其值應(yīng)至少五次的水晶阻力。它可以寫成| - r | > 5 Rr。

例如,要獲得一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路,集成電路的負(fù)電阻的值必須低于-200Ω當(dāng)晶體電阻的值40Ω。

1-4-3。

“負(fù)阻”是衡量標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,如老化、熱變化,電壓變化,等。,電路可能不振蕩如果“Q”的價(jià)值很低。因此,它是非常重要的衡量負(fù)阻(- r)遵循下面的說明:

(1)連接電阻(R)的水晶系列

(2)調(diào)整R的值從一開始就指出的停止點(diǎn)振蕩。

(3)在振動(dòng)測量R的值。

(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,| - R R + | = Rr,Rr =水晶阻力。

注:連接電路的寄生電容會(huì)影響測量值。

1-4-4。

如果晶體的參數(shù)是正常的,但它不是工作穩(wěn)步在振蕩電路中,我們將不得不找出集成電路的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容的值(Cd和Cg),和采取其他水晶與降低負(fù)載電容(CL)。

采用水晶阻力較低(Rr)。

使用不平等的設(shè)計(jì)值的Cd和Cg。我們可以提高Cd的負(fù)載電容(Xout)和降低負(fù)載電容的Cg(鑫)提高輸出的波形振幅鑫將用于后端電路。

1 - 5。

當(dāng)有信號(hào)輸出Xout但不新,它代表的電極后,后端電路的功耗是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖的輸出電路之間及其后電極驅(qū)動(dòng)端電路.

1 - 6。

除了上面提到的1 - 5的方法,你也可以按照三種方法在步驟1-4-4。

請接觸晶體或IC制造商的現(xiàn)場應(yīng)用工程師為進(jìn)一步援助,如果你的問題不能解決。

在技術(shù)文獻(xiàn)及產(chǎn)品應(yīng)用上, 石英晶體共振子的共振有三組不同定義及特性的共振頻率.

(1) 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率 ( fs , fp )

(series resonance frequency and parallel resonance frequency)

(2) 諧振頻率及反諧振頻率 ( fr , fa )

(resonance frequency and anti-resonance frequency)

(3) 最大電導(dǎo)頻率及最小電導(dǎo)頻率 ( fm , fn )

(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).

這三組頻率的導(dǎo)納(admittance)圖, 可以從(圖九)復(fù)數(shù)坐標(biāo)清楚的看到

Fig.9﹞ Complex Admittance of Resonators

串聯(lián)偕振頻率及并聯(lián)偕振頻率, fs and fp ,是分別由電導(dǎo)(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大時(shí)的頻率.

諧振頻率及反諧振頻率, fr and fa , 分別是當(dāng)電導(dǎo)等于零(純電阻特性)的二個(gè)頻率. 在這個(gè)時(shí)候, fr 的阻抗為 1 / Rr 而fa 的阻抗為 1/ Ra.

在評估共振時(shí)的等效線路時(shí), 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率, fs and fp , 是最重要的二個(gè)頻率參數(shù). 對于串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率( fs and fp )二者的關(guān)系, 我們可以用下列公式來表達(dá):

公式中的C1及 L1 分別是(圖七)中的動(dòng)態(tài)電容(motional capacitance)及動(dòng)態(tài)電感(motional conductance); Co 是靜態(tài)電容(shunt capacitance).