京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
京瓷晶振集團(tuán)在全球的事業(yè)涉及原料、零件、設(shè)備、機(jī)器,以及服務(wù)、網(wǎng)絡(luò)等各個(gè)領(lǐng)域。在集團(tuán)內(nèi)部,若將相關(guān)的有源晶振,壓控晶體振蕩器,晶振,石英晶振, 石英晶體振蕩器等產(chǎn)品和事業(yè)視為一條生產(chǎn)線,其開發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及物流等等,所有程序都被有機(jī)地結(jié)合起來,并且有效地利用現(xiàn)有經(jīng)營資源,通過發(fā)揮協(xié)同效應(yīng),使其構(gòu)筑得更加牢固。
京瓷晶振所有的生產(chǎn)線都具備順應(yīng)時(shí)代變化的速度感,通過融合集團(tuán)的獨(dú)特技術(shù),進(jìn)一步積極創(chuàng)造新產(chǎn)品、開拓新市場。為了回應(yīng)客戶的期待,京瓷石英晶體振蕩器,有源晶振,石英晶振,壓控振蕩器,在價(jià)格、質(zhì)量、服務(wù)等所有方面都滲透“客戶第一”的理念,不斷為全球市場奉獻(xiàn)新價(jià)值。
京瓷晶振規(guī)格 |
KC2016B-C1晶振 |
驅(qū)動(dòng)輸出 |
CMOS |
常用頻率 |
1.5~50MHZ |
工作電壓 |
+1.6~3.63V(代表値) |
靜態(tài)電流 |
(工作時(shí))+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
TCXO輸出負(fù)載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
Kyocera日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表:
Series | Part Status | Frequency 頻率 | Voltage - Supply電壓 | Operating Temperature 工作溫度 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 |
KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC5032A-C1, Kyocera | Active | 100MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047" (1.20mm) |
Kyocera日產(chǎn)有源兆赫茲晶振代碼列表:
Manufacturer Part Number | Manufacturer | Series | Part Status | Frequency 頻率 | Voltage - Supply電壓 | Operating Temperature 工作溫度 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 |
KC2016B25.0000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B25.0000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2016B25.0000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2016B-C1, Kyocera | Active | 25MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022" (0.55mm) |
KC2520C38.4000C1LE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C38.4000C1LE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC2520C38.4000C1LE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC2520C-C1, Kyocera | Active | 38.4MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) | 0.028" (0.70mm) |
KC5032A100.000C1GE00 | AVX Corp/Kyocera Corp | KC5032A-C1, Kyocera | Active | 100MHz | 1.6 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047" (1.20mm) |
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>CMOS晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振
2016晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)金屬面晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
此外,振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測量三.通過電容器測量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量2016低相位振蕩器頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線).
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在小體積MHZ系列晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過2016金屬面晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。