2013年,ILSI收購(gòu)了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購(gòu)使我們現(xiàn)有的石英晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶(hù)群翻了一番。ILSI收購(gòu)MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶(hù)供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷(xiāo)售水平顯著提高,因此2013年需要開(kāi)設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷(xiāo)售辦事處,負(fù)責(zé)處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎(chǔ)設(shè)施下的品牌實(shí)體進(jìn)行了積極的營(yíng)銷(xiāo)和銷(xiāo)售。通過(guò)時(shí)鐘晶體增長(zhǎng)和收購(gòu)帶來(lái)的銷(xiāo)量增加需要重新調(diào)整我們的銷(xiāo)售渠道,以更好地管理我們的全球客戶(hù)群。ILSI-MMD Inc.銷(xiāo)售渠道由全球24個(gè)地區(qū)代表組成,覆蓋50個(gè)美國(guó),加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國(guó),波蘭,德國(guó),法國(guó),意大利,奧地利和南美洲中的45個(gè)。銷(xiāo)售渠道還受到由多國(guó)一級(jí)分銷(xiāo)商,地區(qū)分銷(xiāo),美國(guó)分類(lèi)目錄和歐洲分類(lèi)目錄組成的分銷(xiāo)基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專(zhuān)營(yíng)分銷(xiāo)渠道合作伙伴。
ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無(wú)源晶振,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
晶振的真空封裝技術(shù):是指無(wú)源晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。 石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。2012無(wú)源2腳晶振,32.768音叉KHZ晶體,KX-327RT晶振
ILSI晶振 |
單位 |
IL3T晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.036× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
12.5PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
所有無(wú)源石英晶體和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象。電源線(xiàn)路:電源的線(xiàn)路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無(wú)源晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
進(jìn)口石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。2012無(wú)源2腳晶振,32.768音叉KHZ晶體,KX-327RT晶振
1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到石英進(jìn)口2012SMD晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線(xiàn)模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無(wú)源晶振
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到2012貼片晶振個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在32.7687KHZ晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于的類(lèi)型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)2012mm無(wú)源晶體測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。2012無(wú)源2腳晶振,32.768音叉KHZ晶體,KX-327RT晶振