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自從我們在1990年成立以來，golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長，我們現(xiàn)在是英國最主要的頻率控制產(chǎn)品供應(yīng)商。這種增長是通過保持我們的專注于我們的客戶的要求，并通過努力始終滿足和超越他們實(shí)現(xiàn)的?？偛课挥谖饔⒏裉m心臟地帶的一個(gè)美麗的轉(zhuǎn)換農(nóng)場建筑的收集，golledge向全世界50多個(gè)國家的出口，占收入的60%以上。憑借我們對(duì)互聯(lián)網(wǎng)和電子商務(wù)的承諾，我們能夠支持我們客戶最復(fù)雜和最苛刻的需求使我們與其他供應(yīng)商分開的是我們?nèi)嗣竦慕?jīng)驗(yàn)和能力。我們的業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)是業(yè)界最有經(jīng)驗(yàn)和最了解的之一，使我們能夠提供我們的客戶友好，專業(yè)的建議和一個(gè)非常有效的服務(wù)。
golledge商業(yè)團(tuán)隊(duì)是該行業(yè)最有經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)之一。我們的知識(shí)淵博的工程師和銷售團(tuán)隊(duì)致力于與我們的客戶密切合作，從最初的設(shè)計(jì)到全面生產(chǎn)。我們的注冊到iso - 9001 :2015強(qiáng)調(diào)了對(duì)質(zhì)量的全面承諾，同時(shí)我們的產(chǎn)品的完整性由我們的專門的內(nèi)部測試和測量實(shí)驗(yàn)室確保。golledge是英國發(fā)展最快的頻率產(chǎn)品供應(yīng)商。我們在競爭激烈的市場上繼續(xù)成功是對(duì)我們的產(chǎn)品質(zhì)量和出色的服務(wù)的敬意。電子技術(shù)和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展。隨著技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展，golledge擁有支持我們客戶需求的資源和靈活性。

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此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn)，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

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Golledge晶振	單位	GSX-315晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6,7,9,12.5pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。
2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

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驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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