百利通亞陶晶振公司產(chǎn)品聚焦于高成長終端用戶設備市場,例如電視/衛(wèi)星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線 802.11 LAN 存取點、無刷直流馬達風扇、序列連接及汽車應用。
百利通亞陶晶振集團消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少晶體諧振器、普通晶體振蕩器(SPXO)材料廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.百利通亞陶晶振重視污染預防,消除偏離程序的行為強調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進我們經(jīng)營活動的環(huán)境績效.
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振.產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
亞陶晶振高精密點膠技術:石英晶振晶片膠點的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。
亞陶晶振 |
單位 |
FWQ晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
16.000MHz~66.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C/-40°C~+85°C -40°C~+105°C/-40°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10/100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10×10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10~±100× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF~32pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學產(chǎn)品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環(huán)境中使用。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2520耐高溫晶振,超小型汽車晶振,FHQ晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考