愛普生現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)成為石英部件的NO1,40多年前為支持SEIKO(精工)手表而成立的Epson石英部件部門強(qiáng)在PC,NB,手機(jī)及消費(fèi)電子等運(yùn)用上,市占率高達(dá)七八成,其中又以32.768k晶振稱霸業(yè)界.愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界,因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無完人,史前無例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體(IC)稱之為"產(chǎn)業(yè)之米".
愛普生晶振,無源晶振,FA-118T晶振,1.6*1.2*0.35mm超小型,超薄型無源MHZ赫茲貼片諧振器產(chǎn)品,投入市場(chǎng)之初曾引起業(yè)界的轟動(dòng),如此小型化的晶體產(chǎn)品為智能數(shù)碼領(lǐng)域的生產(chǎn)企業(yè)帶來新的商機(jī),FA-118T晶振標(biāo)準(zhǔn)的精確度是±10ppm,負(fù)載電容是6pF,這樣的參數(shù)指標(biāo)是眾多用戶喜愛的高穩(wěn)定參數(shù)值,老化率甚至可以達(dá)到±1ppm,壽命非常長(zhǎng).
愛普生晶振 |
單位 |
FA-118T晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24.000MHZ~54.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
6pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±1 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如FA-118T貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。愛普生晶振,無源晶振,FA-118T晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致愛普生FA-118T晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞FA-118T晶體,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)愛普生晶振,無源晶振,FA-118T晶振
3.測(cè)試電路
TCO-****系列 VG, TG, EG,XG系列 *1 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接
(1)CMOS 負(fù)載 |
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(2) 抗低,電容負(fù)載 |
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(3) TTL 負(fù)載 |
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(4) LV-PECL 負(fù)載 |
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(5)LV-PECL 負(fù)載 |
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(6) LV-PECL 負(fù)載 |
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(7) LVDS 負(fù)載 |
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(8) HCSL 負(fù)載 |
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