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首頁 KDS晶振

KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振

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產(chǎn)品簡介

3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

產(chǎn)品詳情

KDS-1

日本大真空株式會社,天津KDS作為一個最重要的環(huán)境保護活動的管理政策,通過與環(huán)境的和諧企業(yè)活動,KDS集團將有助于創(chuàng)造社會發(fā)展得以持續(xù).晶振應用產(chǎn)品的開發(fā),在該地區(qū)的所有的生產(chǎn)業(yè)務(wù),KDS集團,將促進對全球環(huán)保事業(yè)的承諾. 1:努力減少石英晶體諧振器有害物質(zhì)的妥善管理,為客戶提供環(huán)保產(chǎn)品. 2:對于預防環(huán)境污染和資源的有效利用,我們將妥善處置廢物排放量,再利用和回收工作. 3:防止全球變暖,我們將努力減少二氧化碳排放量和節(jié)約能源活動. 4:我會遵守我們的其他環(huán)境法律,標準,協(xié)議同意的要求. 5.進行定期審查,以設(shè)置基于這種環(huán)境政策的環(huán)境目標和指標,以及促進活動,我們會努力,不斷提高環(huán)境管理體系.6:著名的人將要從事的活動組及全體員工的環(huán)保政策給大家,我們將通過宣傳活動,教育和培訓工作,提高意識和環(huán)保意識. 7:我會公布的環(huán)境保育活動有關(guān)的信息.
大真空晶振特點:適合應用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
JLX-1

KDS-2

KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振,為什么越來越多的晶體企業(yè)都著手向汽車電子市場進軍呢,然而汽車電子的要求也比科技數(shù)碼產(chǎn)品高的多,特別是耐溫這塊,都有一定的要求值,比如:3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
無源晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準的要求。
JLX-2

RB-3

KDS晶振

符號

DSX321SL晶振

基本信息對照表

Crystal標準頻率

f_nom

13~60MHz


儲存溫度

T_stg

-40°C ~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ~+85°C

KDS晶振特定的溫度

激勵功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子

精度

f_— l

±10,±20,±30,±50ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點溫度

Ti

+25°C ±5°C



負載電容

CL

8pF,10pF,12pF

可按客戶需求指定

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ —45kΩ

頻率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

DSX321SL 3225JLX-4

RB-4

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計數(shù)器測量頻率比目標頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標頻率,反之亦然??梢圆捎貌煌撦d電容(CL)的進口晶體諧振器試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標頻率超高很多的話。請檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ鳎_的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征:KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振

20180607084508

晶振具有多種振動模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當基頻模式應用時,晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當?shù)谌{(diào)模式被應用,一個放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標頻率時,要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因為電路的環(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?;l模式與三次泛音模式應用程序如下: 一。的基頻模式B應用。三次泛音模式的應用程序

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下表顯示升的匹配值,C由各種頻率三次泛音模式石英晶振頻率輸出是目標頻率的三倍這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題,請采用三次泛音模式晶振。

20180607084536JLX-5

RB-5

負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。3225貼片晶振電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振

sjzrhl_3

測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用32252石英晶體諧振器微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)

scbx_2

振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)進口3225晶振負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,無線電話石英晶體頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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