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首頁 KDS晶振

KDS晶振,石英晶振,DST520晶振

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產(chǎn)品簡介

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.

產(chǎn)品詳情

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KDS擁有遍布全球的銷售網(wǎng)絡,另外在大陸地區(qū)有極少數(shù)的代理商.深圳市金洛鑫電子有限公司是其較早的代理,該司在上海、深圳、蘇州和香港以及美國等地設有辦事機構,能快速準確的為客戶提供高品質的KDS石英晶振產(chǎn)品以及優(yōu)質的服務,在行業(yè)內(nèi)有一定的知名度.

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KDS晶振,石英晶振,DST520晶振,表面小型,薄型,SMD音叉型水晶振動子,是日本大真空晶振公司較為知名的一款KHZ級無源晶振,適用于移動通信,無線藍牙,智能音響,數(shù)字顯示屏等智能電子數(shù)碼產(chǎn)品身上,體積只有4.8*1.9mm大小,擁有±20ppm的高精度,和7pF~12.5pF的低負載,因此成為行業(yè)里的"寵兒".

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KDS晶振

符號

DST520晶振

KDS晶振基本信息對照表

Crystal標準頻率

f_nom

32.768kHz


儲存溫度

T_stg

-41°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

KDS晶振特定的溫度

激勵功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯(lián)系我們金洛電子

精度

f_— l

±20ppm、±30ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點溫度

Ti

+25°C ±5°C


負載電容

CL

7p~12.5pF

可按客戶需求指定

串聯(lián)電阻(ESR

R1

70kΩ Max.

70kΩ — 45kΩ

頻率老

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C, 第一年

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DST520.

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PCB設計指導

(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于石英晶體諧振器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。KDS晶振,石英晶振,DST520晶振

(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存無源晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。

正常溫度和濕度:

溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。

(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。

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設計振蕩回路的注意事項

1.驅動能力

驅動能力說明DST520石英晶振單元所需電功率,其計算公式如下:

驅動能力 (P) = i2?Re

其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,

Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補償

除非在32.768KHZ音叉晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。KDS晶振,石英晶振,DST520晶振

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3. 負載電容

如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致DST520無源晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。

其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負載電容特征圖器

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振蕩回路參數(shù)設置參考

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