日本大真空株式會(huì)社,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開(kāi)發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.節(jié)省勞動(dòng)力,自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢(shì),以滿足交貨時(shí)間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.進(jìn)口3225有源晶體振蕩器,小型溫補(bǔ)晶體振蕩器,DSB321SCB晶振
溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振,3.2*2.5mm是市場(chǎng)上較為常用的晶振體積,TCXO晶振本身的優(yōu)越性能加上3225的尺寸,使這款溫補(bǔ)晶體振蕩器具有多用途特性,每年為KDS株式會(huì)社帶來(lái)上億的產(chǎn)值,即使是在更小的2016mm和2520mm溫補(bǔ)晶振面前也毫不遜色.
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溫補(bǔ)晶振 |
標(biāo)示 |
DSB321SCB晶振 |
晶振基本信息對(duì)照表 |
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標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
9.600MHz～52.000MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
＋1.8V,＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±1.5ppm |
初期偏差、 |
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輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對(duì)稱 |
SYM |
40%～60% |
50% Vcc |
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標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8～80MHz) |
10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF |
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如有源晶振從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶體振蕩器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用溫度補(bǔ)償晶體振蕩器。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。進(jìn)口3225有源晶體振蕩器,小型溫補(bǔ)晶體振蕩器,DSB321SCB晶振
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。進(jìn)口3225有源晶體振蕩器,小型溫補(bǔ)晶體振蕩器,DSB321SCB晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）
3.測(cè)試電路
