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首頁 溫補(bǔ)晶振

溫補(bǔ)晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振

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產(chǎn)品簡介

溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝.

產(chǎn)品詳情

kdshf

KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),KDS振蕩器,跟普通的KDS晶體諧振器,兩者有一定的區(qū)別,晶體振蕩器是在壓電石英晶片兩邊施加機(jī)械壓力,在壓電石英晶片的放心產(chǎn)生電場,這樣的現(xiàn)象為壓電效應(yīng),普通石英晶體振蕩器一般應(yīng)用范圍就一般的電子數(shù)碼產(chǎn)品.

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溫補(bǔ)晶振

標(biāo)示

DSB221SCB晶振

晶振基本信息對照表

標(biāo)準(zhǔn)范圍

f0

9.600MHz~52.000MHz

電源電圧

Vcc

+1.8V,+2.6V,+2.8V,+3.0V,+3.3V

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

頻率負(fù)載

L_CMOS

15pF

CMOS出力

標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差

f_tol

±1.5ppm

初期偏差、
周波數(shù)溫度特性、
電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、
経時(shí)変化(1年、+25℃時(shí))

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

對稱

SYM

40%~60%

50% Vcc

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間

tr/tf

12 ns max.(1.8~80MHz)

10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF

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DSA221SCL DSB221SCL DSB221SCB

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超聲波清洗

(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。

(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫w可能受到破壞。

(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品

(4)對于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。

(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。

操作

請勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。

使用環(huán)境(溫度和濕度)

請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

1.驅(qū)動(dòng)能力

驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:

驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re

其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,

Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補(bǔ)償

除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。

其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

sjzrhl_1

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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