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首頁 StatekCrystal晶振

Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器

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產(chǎn)品簡介

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

產(chǎn)品詳情

Statek-2

1970年,Statek公司開創(chuàng)了石英計時元件小型化技術(shù),革新了頻率控制行業(yè)。今天,Statek在設(shè)計和制造超微型石英晶體、振蕩器和傳感器方面延續(xù)了創(chuàng)新的傳統(tǒng)。自成立以來,Statek一直是創(chuàng)新、服務(wù)和質(zhì)量的代名詞。所有產(chǎn)品都是在美國設(shè)計、制造和測試的。定制設(shè)計的有限元分析軟件,在構(gòu)建實物原型之前,能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行設(shè)備行為建模,節(jié)省您的時間。通過我們廣泛的設(shè)計和過程庫,從我們過去的成功中獲益。Statek擁有設(shè)計和分析各種操作模式中所有機(jī)械幾何形狀的石英諧振器的專門知識。工程專家援助.
Statek晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系國際標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個適合、三個承諾和一個框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾;減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;

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Statek-1

Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術(shù): AT 切型晶振的晶片厚度為:t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度為:t= 2560*n/ f 0,t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標(biāo)稱頻率(KHz) n: 泛音次數(shù).2.6、晶振的腐蝕技術(shù):用酸液腐蝕掉因研磨而產(chǎn)生的破壞層,消除晶片內(nèi)應(yīng)力,同時使石英晶振的晶片達(dá)到更準(zhǔn)確的目標(biāo)值。腐蝕頻率=(1000*(F/N)+(F 2 /N 2 )*PB)*N,F:石英晶振的標(biāo)稱頻率。 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.

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RB-2

STATEK晶振

單位

CX9VSM晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±100 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-55°C~+200°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

9pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-55°C — +200°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

CX9VSM

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RB-4

一般來說,微處理器32.768K的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是音叉貼片晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:

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線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)(2)從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果無源時鐘晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用4115貼片晶振正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過32.768K無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。

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振蕩補(bǔ)償:除非在32.768K無源貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過4115石英晶振振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).

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