京瓷把“客戶第一”的原則放在首位,以確保我們提供的產(chǎn)品和服務(wù)始終使人們滿意。顧客滿意要求我們對(duì)周圍的不斷變化作出快速反應(yīng)。京瓷晶振公司致力于創(chuàng)造超越客戶期望的價(jià)值。品牌承諾的性能,驚奇和喜悅在技術(shù)實(shí)力、優(yōu)質(zhì)的區(qū)域,和響應(yīng)。每個(gè)產(chǎn)品線管理團(tuán)隊(duì)通過(guò)整合京瓷集團(tuán)技術(shù)來(lái)解決新出現(xiàn)的趨勢(shì),積極開發(fā)新產(chǎn)品和新市場(chǎng)。
京瓷晶振,貼片晶振,CX3225GB晶體,
京瓷晶振 |
單位 |
CX3225GB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
9.800MHZ~54.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±200 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
裝載
<SMD產(chǎn)品>
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得京瓷CX3225GB晶體諧振器產(chǎn)品內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使 用。
<引線類型產(chǎn)品>
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化。
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致陶瓷面晶振端子軟焊性的老化。
請(qǐng)?jiān)跊](méi)有直射陽(yáng)光,不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。
其他
<晶體諧振器>
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓CX3225GB貼片晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。TXC晶振,進(jìn)口晶振,8Y晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。京瓷晶振,石英晶振,CX2520DB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)
3.測(cè)試電路