西鐵城晶振創(chuàng)立于1959年7月28日，當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)17億多,所做產(chǎn)品涉及領(lǐng)域較廣,自動(dòng)車部品,石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器及水晶片,映像用電子機(jī)器,液晶顯示器,光通信用部品,工業(yè)機(jī)械裝置,精密計(jì)測(cè)機(jī)械,小型精密金屬加工部件等。日本株式會(huì)社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創(chuàng)立時(shí)間在1918年，早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時(shí)計(jì)產(chǎn)品，在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水，防振的手表，從此轟動(dòng)世界成為了個(gè)性時(shí)尚品牌.在1975年西鐵城會(huì)社成立了西鐵城株式會(huì)社水晶事業(yè)部，從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動(dòng)子.
2010年3月完成了對(duì)日本西鐵城晶振在國(guó)內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部石英晶振,石英晶體諧振器,西鐵城石英振蕩子生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過所構(gòu)建的國(guó)際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了西鐵城晶振集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)保活動(dòng).而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進(jìn)行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個(gè)管理單位,不斷推動(dòng)著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.
西鐵城晶振,石英晶振,CSA-310晶振,進(jìn)口圓柱晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
圓柱晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號(hào)。3.4.1、點(diǎn)膠時(shí)應(yīng)注意膠點(diǎn)的大小和位置。不宜過大或過小。（生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)該有很多照片）3.4.2、導(dǎo)電膠應(yīng)注意有效期、儲(chǔ)存溫度、開蓋次數(shù)、充分?jǐn)嚢?、室溫放置時(shí)間、烤膠最高溫度、烤膠時(shí)間、升溫速率、升溫起始最高溫度。3.5、微調(diào)：使用真空鍍膜原理，微調(diào)晶體諧振器的頻率達(dá)到規(guī)定要求（標(biāo)稱值/目標(biāo)值）。也有離子刻蝕法進(jìn)行微調(diào)。3.5.1、注意：微調(diào)時(shí)應(yīng)注意微調(diào)偏位、微調(diào)量過大（主要是被銀頻率影響）、微調(diào) MASK 的選用。
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西鐵城晶振 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.5~4.0MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
16,18pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL =1.0μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶振的兩個(gè)端子的信號(hào)，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下：西鐵城晶振,石英晶振,CSA-310晶振,進(jìn)口圓柱晶振
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述時(shí)鐘表晶晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明插件晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。西鐵城晶振,石英晶振,CSA-310晶振,進(jìn)口圓柱晶振
測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過MHZ插件石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）
角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)圓柱插件晶振振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過進(jìn)口水晶石英振子限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
泰藝晶振,音叉石英晶體,XB晶振
微晶晶振,插件晶振,DS15晶振,5015mm石英晶振
精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振