西鐵城晶振公司為工業(yè)市場(chǎng)提供高性能和精密設(shè)備,不斷開(kāi)發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個(gè)良好的信譽(yù)在市場(chǎng)上特別是對(duì)我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.西鐵城精密裝置發(fā)揮能力的領(lǐng)域是，小型精密高精度?高精度被要求的功能零部件領(lǐng)域。并且，通過(guò)多年建立的獨(dú)自的技術(shù)，不斷地提供高附加價(jià)值的微設(shè)備產(chǎn)品。
西鐵城在音叉水晶表晶振動(dòng)子（石英晶振）這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的，與日本元器件品牌愛(ài)普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西鐵城石英晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。截止2010年底，已發(fā)展為以鐘表為主業(yè)，多種經(jīng)營(yíng)的集團(tuán)性跨國(guó)大公司，年銷售額約三十八億美元。西鐵城自成立以來(lái)，一直在鐘表行業(yè)處于領(lǐng)先地位，創(chuàng)造了諸多世界第一。

西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振.32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的插件型晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
西鐵城石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

輸出波形與測(cè)試電路

1.時(shí)序表

2. 測(cè)試條件

(1) 電源電壓

超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。

電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。

(2) 其他

輸入電容低于 15 pF

5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。

鉛探頭應(yīng)盡可能短。

測(cè)量石英晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。

(3) 其他

CL包含探頭電容。

應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。

使用微型插槽，以觀察波形。

（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

3. 測(cè)試電路

TCO-****系列 VG, TG, EG,XG系列 *1 ：在頻率電壓控制功能時(shí)，進(jìn)行連接

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