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首頁(yè) 微晶晶振

微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無(wú)源晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

產(chǎn)品詳情

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微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊、晶振和OCXO等多個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品。微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品。微晶的管理團(tuán)隊(duì)以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個(gè)積極的例子,在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵(lì)員工始終如一地思考問(wèn)題。質(zhì)量與成本。
微晶晶振在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。全球約550個(gè)員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對(duì)管理、環(huán)境、社會(huì)責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則(比如對(duì)有爭(zhēng)議的原材料的問(wèn)題上),這些是我們?cè)谖磥?lái)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的主要原因。微晶玻璃(MC)的管理、環(huán)境與社會(huì)責(zé)任原則執(zhí)行(MES)大綱標(biāo)準(zhǔn),以確保MC設(shè)備的工作條件,以及供應(yīng)鏈合作伙伴的活動(dòng)支持MC的要求,是安全的,工人是尊重和尊嚴(yán)對(duì)待,以及制造過(guò)程使用MC和它的作伙伴對(duì)環(huán)境負(fù)責(zé)。

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微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無(wú)源晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來(lái)高速的工作效率,32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
超小型、超低頻石英貼片晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。

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微晶晶振

單位

CC1A-T1AH晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8~24MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-55°C~+200°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.5μW Max.

推薦:0.5μW

頻率公差

f_— l

±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±100 × 10-6/-40°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL=0.5μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CC1A-T1AH 8037

JLX-4

RB-4

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的進(jìn)口晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說(shuō)明:線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián).微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無(wú)源晶振

20180607084414

( 2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。(3)振蕩期間測(cè)量R的值。(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值。如果晶振的參數(shù)是正常的,但SMD晶振不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。石英晶體諧振器的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。

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RB-5

進(jìn)口貼片晶振的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無(wú)源晶振
適當(dāng)?shù)目刂?a title="兩腳貼片晶振" target="_blank">兩腳貼片晶振電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定陶瓷面兆級(jí)石英晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在8.0x3.7mm貼片晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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