Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)（PAS）由我們的工程師設(shè)計，可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計做出正確的選擇。 PAS測試驗證了電路中的石英晶體性能，同時測量晶體，晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應(yīng)。測試系統(tǒng)中所有變量的帳戶，并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實現(xiàn)理想的匹配。這對于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術(shù)尤其重要。
較低的CL和較低的ESR提高了回路的運(yùn)行增益裕度，確保了所有變量的持續(xù)振蕩，包括偏差，負(fù)載，溫度和時間變化。 Gm_critical是晶體必須實現(xiàn)的關(guān)鍵跨導(dǎo)值，以保持在環(huán)路運(yùn)行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的石英晶振與Pierce振蕩器不匹配，并可能導(dǎo)致與啟動相關(guān)的長期可靠性問題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical，部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應(yīng)用中的節(jié)能設(shè)計最有可能發(fā)生故障。進(jìn)行PAS測試可降低風(fēng)險并提高系統(tǒng)的可靠性。
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-166晶振,進(jìn)口無源晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：無源晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABM10-166晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C～+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C～+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時，在使用之前，建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù)，因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導(dǎo)致的影響，請在使用之前，懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時，請確保晶振能正常工作。
操作:請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。使用環(huán)境（溫度和濕度）:請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英進(jìn)口晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。晶振/石英晶體諧振器激勵功率:在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?.
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在進(jìn)口SMD晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-166晶振,進(jìn)口無源晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過2520貼片諧振器輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過2520車載晶振晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
2520無源晶振測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
加高晶振,貼片晶振,HSX221G晶振
TXC晶振,貼片晶振,7S晶振
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無源進(jìn)口晶振