2013年,ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的全球晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高,因此2013年需要開設(shè)兩個新的區(qū)域銷售辦事處,負責(zé)處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎(chǔ)設(shè)施下的品牌實體進行了積極的營銷和銷售。通過無源晶振增長和收購帶來的銷量增加需要重新調(diào)整我們的銷售渠道,以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個地區(qū)代表組成,覆蓋50個美國,加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國,波蘭,德國,法國,意大利,奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分銷商,地區(qū)分銷,美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。
ILSI晶振,石英晶振,26晶振,進口晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負載電容.49/U石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻時鐘晶體晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。智能通訊無源晶振,3225貼片封裝晶振,KX-7晶振
ILSI晶振 |
單位 |
26晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
30~192KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.034× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
石英進口晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。ILSI晶振,石英晶振,26晶振,進口晶振
每個封裝類型的注意事項:(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接金屬封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
(2)陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝進口插件晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。智能通訊無源晶振,3225貼片封裝晶振,KX-7晶振
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量音叉式時鐘2*6晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。ILSI晶振,石英晶振,26晶振,進口晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量2*6圓柱插件晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到超小型圓柱晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在長形兩腳圓柱體晶振振蕩電路的設(shè)計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。智能通訊無源晶振,3225貼片封裝晶振,KX-7晶振