ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2mm
2013年,ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的石英晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高,因此2013年需要開設兩個新的區(qū)域銷售辦事處,負責處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎設施下的品牌實體進行了積極的營銷和銷售。通過時鐘晶體增長和收購帶來的銷量增加需要重新調(diào)整我們的銷售渠道,以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個地區(qū)代表組成,覆蓋50個美國,加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國,波蘭,德國,法國,意大利,奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分銷商,地區(qū)分銷,美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎設施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。進口KHZ系列晶振,2012金屬面晶振,IL3T晶振
ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
晶振的真空封裝技術:是指無源晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。 石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。進口KHZ系列晶振,2012金屬面晶振,IL3T晶振
ILSI晶振 |
單位 |
IL3T晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.036× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
所有無源石英晶體和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英進口晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
進口石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。進口KHZ系列晶振,2012金屬面晶振,IL3T晶振
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到石英進口2012SMD晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設計中,必須認識到2012貼片晶振個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.7687KHZ晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過2012mm無源晶體測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。進口KHZ系列晶振,2012金屬面晶振,IL3T晶振
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
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